编辑：ll BTB24-ASEMI电气加热设备专用BTB24 型号：BTB24 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 正向电流：25A 反向电压：600V~1600V 引脚数量：3 芯片个数：2 芯片尺寸： 漏电流：>10ua 恢复时间： 包装方式：管装 封装尺寸：如图 特性：双向可控硅 工作结温：-40℃~150℃ BTB24的电性参数：正向电流25A；反向电压600V~1600V BTB24双向可控硅应用领域： 非绝缘型可控硅 照明调光 电动工具 工业电炉 电动工具 变频调速 电气加热设备 变频调速

编辑：ll BTB16-ASEMI工业电炉专用BTB16 型号：BTB16 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 特性：双向可控硅 正向电流：16A 反向耐压：600V~800V 引脚数量：3 芯片个数：2 包装方式：3000pcs/盘 浪涌电流： 特点：双向可控硅 工作温度：-40℃~150℃ BTB16应用：主要应用于调光、控温、马达控制 BTB16双向可控硅采用穿通隔离台面结构，复合玻璃钝化PN结表面保护工艺技术，dv/dt高，可靠性高， 适用于控温、调光、马达控制。 ASEMI品牌BTB16双向可控硅是采用工艺芯片，该芯片具有良

编辑：ll BTB08-ASEMI电气加热设备专用BTB08 型号：BTB08 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 正向电流：8A 反向电压：600V~800V 引脚数量：3 芯片个数：2 芯片尺寸： 漏电流：>10ua 恢复时间： 包装方式：管装 封装尺寸：如图 特性：双向可控硅 工作结温：-40℃~150℃ BTB08的电性参数：正向电流8A；反向电压600V~800V BTB08双向可控硅应用领域： 非绝缘型可控硅 照明调光 电动工具 工业电炉 电动工具 变频调速 电气加热设备 变频调速

编辑：ll BTB06-ASEMI工业电炉专用BTB06 型号：BTB06 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 特性：双向可控硅 正向电流：6A 反向耐压：600V~800V 引脚数量：3 芯片个数：2 包装方式：3000pcs/盘 浪涌电流： 特点：双向可控硅 工作温度：-40℃~150℃ BTB06应用：主要应用于调光、控温、马达控制 BTB06双向可控硅采用穿通隔离台面结构，复合玻璃钝化PN结表面保护工艺技术，dv/dt高，可靠性高， 适用于控温、调光、马达控制。 ASEMI品牌BTB06双向可控硅是采用工艺芯片，该芯片具有良

编辑：ll BTB04-ASEMI电动工具专用BTB04 型号：BTB04 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 正向电流：8A 反向电压：600V~800V 引脚数量：3 芯片个数：2 芯片尺寸： 漏电流：>10ua 恢复时间： 包装方式：管装 封装尺寸：如图 特性：双向可控硅 工作结温：-40℃~150℃ BTB04的电性参数：正向电流8A；反向电压600V~800V BTB04双向可控硅应用领域： 非绝缘型可控硅 照明调光 电动工具 工业电炉 电动工具 变频调速 电气加热设备 变频调速

编辑：ll BT138-ASEMI灯具继电器激动器专用BT138 型号：BT138 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 特性：可控硅 正向电流：12A 反向耐压：600V~800V 引脚数量：3 芯片个数：2 包装方式：3000pcs/盘 浪涌电流： 特点：双向可控硅 工作温度：-40℃~150℃ BT138应用：主要应用于调光、控温、马达控制 BT138双向可控硅采用穿通隔离台面结构，复合玻璃钝化PN结表面保护工艺技术，dv/dt高，可靠性高， 适用于控温、调光、马达控制。 ASEMI品牌BT138双向可控硅是采用工艺芯片，该芯片具

编辑：ll BT137-ASEMI小型马达控制器专用BT137 型号：BT137 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 正向电流：8A 反向电压：600V~800V 引脚数量：3 芯片个数：2 芯片尺寸： 漏电流：>10ua 恢复时间： 包装方式：管装 封装尺寸：如图 特性：双向可控硅 工作结温：-40℃~150℃ BT137的电性参数：正向电流8A；反向电压600V~800V BT137双向可控硅应用领域： 各种万能开关器 小型马达控制器 彩灯控制器 漏电保护器 灯具继电器激动器 逻辑集成电路驱动 大功率可控硅门极驱动 摩托车点

编辑：ll BT136-ASEMI漏电保护器专用BT136 型号：BT136 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 特性：可控硅 正向电流：4A 反向耐压：600V~800V 引脚数量：3 芯片个数：2 包装方式：3000pcs/盘 浪涌电流： 特点：双向可控硅 工作温度：-40℃~150℃ BT136应用：主要应用于调光、控温、马达控制 BT136双向可控硅采用穿通隔离台面结构，复合玻璃钝化PN结表面保护工艺技术，dv/dt高，可靠性高， 适用于控温、调光、马达控制。 ASEMI品牌BT136双向可控硅是采用工艺芯片，该芯片具有良好

编辑：ll BT134-ASEMI万能开关器专用可控硅BT134 型号：BT134 品牌：ASEMI 封装：TO-126 正向电流：4A 反向电压：600V 引脚数量：3 芯片个数：1 芯片尺寸： 漏电流：>10ua 恢复时间： 包装方式：管装 封装尺寸：如图 特性：双向可控硅 工作结温：-40℃~125℃ BT134的电性参数：正向电流4A；反向电压600V BT134双向可控硅应用领域： 各种万能开关器 小型马达控制器 彩灯控制器 漏电保护器 灯具继电器激动器 逻辑集成电路驱动 大功率可控硅门极驱动 摩托车点火器等

编辑：ll BT131-ASEMI漏电保护器专用BT131 型号：BT131 品牌：ASEMI 封装：TO-92 特性：可控硅 正向电流：1A 反向耐压：600V~800V 引脚数量：3 芯片个数：1 包装方式：3000pcs/盘 浪涌电流： 特点：单向可控硅 工作温度：-40℃~150℃ BT131应用：主要应用于调光、控温、马达控制 BT131双向可控硅采用穿通隔离台面结构，复合玻璃钝化PN结表面保护工艺技术，dv/dt高，可靠性高， 适用于控温、调光、马达控制。 ASEMI品牌BT131双向可控硅是采用工艺芯片，该芯片具有良好的

编辑：ll 65R180-ASEMI逆变器专用MOS管65R180 型号：65R180 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 最大漏源电流：21A 漏源击穿电压：650V 批号：最新 RDS（ON）Max：180mΩ 引脚数量：3 沟道类型：超洁MOS管 芯片尺寸：MIL 漏电流： 恢复时间：ns 芯片材质： 封装尺寸：如图 特性：MOS管、N沟道MOS管 工作结温：-55℃~150℃ 65R180的电性参数：最大漏源电流21A；漏源击穿电压650V 特征： 超结MOS管 N沟道MOS管 逆变器 650R180替代型号

编辑：ll 200N03-ASEMI豆浆机专用MOS管200N03 型号：200N03 品牌：ASEMI 封装：TO-252 批号：最新 最大漏源电流：200A 漏源击穿电压：30V RDS（ON）Max：1.8mΩ 引脚数量：3 芯片个数： 沟道类型：N沟道MOS管、中低压MOS管 漏电流：ua 特性：N沟道MOS管、场效应管 工作温度：-55℃~175℃ 备受欢迎的200N03 MOS管 ASEMI品牌200N03是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了200N03的最大漏源电流200A，漏源击穿电压30V. •细节体现差距 200N03，ASEMI品牌，

编辑：ll 100N10-ASEMI小家电专用MOS管100N10 型号：100N10 品牌：ASEMI 封装：TO-252 批号：最新 最大漏源电流：100A 漏源击穿电压：100V RDS（ON）Max：8.8mΩ 引脚数量：3 芯片个数： 沟道类型：N沟道MOS管、中低压MOS管 漏电流：ua 特性：N沟道MOS管、场效应管 工作温度：-55℃~150℃ 备受欢迎的100N10 MOS管 ASEMI品牌100N10是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了100N10的最大漏源电流100A，漏源击穿电压100V. •细节体现差距 100N10，ASEMI品牌

编辑：ll 100N03-ASEMI豆浆机专用MOS管100N03 型号：100N03 品牌：ASEMI 封装：TO-252 最大漏源电流：100A 漏源击穿电压：30V 批号：最新 RDS（ON）Max：5.0mΩ 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管 芯片尺寸：MIL 漏电流： 恢复时间：ns 芯片材质： 封装尺寸：如图 特性：MOS管、N沟道MOS管 工作结温：-55℃~150℃ 100N03场效应管：中低压MOS管、N沟道MOS管用途：小家电、电机控制、高速吹风筒、豆浆机、电机设备。 100N03的电性参数：最大漏源电流100A；漏源击穿电压30V 特征：

编辑：ll 80N10-ASEMI高速风筒专用MOS管80N10 型号：80N10 品牌：ASEMI 封装：TO-252 批号：最新 最大漏源电流：80A 漏源击穿电压：100V RDS（ON）Max：9.5mΩ 引脚数量：3 芯片个数： 沟道类型：N沟道MOS管、中低压MOS管 漏电流：ua 特性：N沟道MOS管、场效应管 工作温度：-55℃~150℃ 备受欢迎的80N10 MOS管 ASEMI品牌80N10是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了80N10的最大漏源电流80A，漏源击穿电压100V. •细节体现差距 80N10，ASEMI品牌，工

编辑：ll 80N03-ASEMI电机控制专用MOS管80N03 型号：80N03 品牌：ASEMI 封装：TO-252 最大漏源电流：80A 漏源击穿电压：30V 批号：最新 RDS（ON）Max：6.5mΩ 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管 芯片尺寸：MIL 漏电流： 恢复时间：ns 芯片材质： 封装尺寸：如图 特性：MOS管、N沟道MOS管 工作结温：-55℃~150℃ 80N03场效应管：中低压MOS管、N沟道MOS管用途：小家电、电机控制、高速吹风筒、豆浆机、电机设备。 80N03的电性参数：最大漏源电流80A；漏源击穿电压30V 特征： 低

编辑：ll 60N02-ASEMI电机设备专用MOS管60N02 型号：60N02 品牌：ASEMI 封装：TO-252 批号：最新 最大漏源电流：60A 漏源击穿电压：20V RDS（ON）Max：6mΩ 引脚数量：3 芯片个数： 沟道类型：N沟道MOS管、中低压MOS管 漏电流：ua 特性：N沟道MOS管、场效应管 工作温度：-55℃~150℃ 备受欢迎的60N02 MOS管 ASEMI品牌60N02是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了60N02的最大漏源电流60A，漏源击穿电压20V. •细节体现差距 60N02，ASEMI品牌，工艺芯

编辑：ll 50N06-ASEMI吹风筒专用MOS管50N06 型号：50N06 品牌：ASEMI 封装：TO-252 最大漏源电流：50A 漏源击穿电压：60V 批号：最新 RDS（ON）Max：15mΩ 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管 芯片尺寸：MIL 漏电流： 恢复时间：ns 芯片材质： 封装尺寸：如图 特性：MOS管、N沟道MOS管 工作结温：-55℃~175℃ 50N06场效应管 50N06的电性参数：最大漏源电流50A；漏源击穿电压60V 特征：中低压MOS管，一般用于小家电、电机控制、高速吹风筒、豆浆机、电机设备 低固有电容。 出

编辑：ll 50N03-ASEMI小家电专用MOS管50N03 型号：50N03 品牌：ASEMI 封装：TO-252 批号：最新 最大漏源电流：50A 漏源击穿电压：30V RDS（ON）Max：5.8mΩ 引脚数量：3 芯片个数： 沟道类型：N沟道MOS管、中低压MOS管 漏电流：ua 特性：N沟道MOS管、场效应管 工作温度：-55℃~150℃ 备受欢迎的50N03 MOS管 ASEMI品牌50N03是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了50N03的最大漏源电流50A，漏源击穿电压30V. •细节体现差距 50N03，ASEMI品牌，工艺芯

编辑：ll 40N02-ASEMI豆浆机专用MOS管40N02 型号：40N02 品牌：ASEMI 封装：TO-252 最大漏源电流：40A 漏源击穿电压：20V 批号：最新 RDS（ON）Max：8mΩ 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管 芯片尺寸：MIL 漏电流： 恢复时间：ns 芯片材质： 封装尺寸：如图 特性：MOS管、N沟道MOS管 工作结温：-55℃~150℃ 40N02场效应管 40N02的电性参数：最大漏源电流40A；漏源击穿电压20V 特征： 低固有电容。 出色的开关特性。 扩展安全操作区域。 无与伦比的栅极电荷：Qg=75 nC（典型值

编辑：ll 30N06-ASEMI中低压N沟道MOS管30N06 型号：30N06 品牌：ASEMI 封装：TO-252 批号：最新 最大漏源电流：30A 漏源击穿电压：60V RDS（ON）Max：24mΩ 引脚数量：3 芯片个数： 沟道类型：N沟道MOS管、中低压MOS管 漏电流：ua 特性：N沟道MOS管、场效应管 工作温度：-55℃~175℃ 备受欢迎的30N06 MOS管 ASEMI品牌30N06是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了30N06的最大漏源电流30A，漏源击穿电压60V. •细节体现差距 30N06，ASEMI品牌，工艺芯

编辑：ll 10N10-ASEMI中低压N沟道MOS管10N10 型号：10N10 品牌：ASEMI 封装：TO-252 最大漏源电流：10A 漏源击穿电压：100V 批号：最新 RDS（ON）Max：135mΩ 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管 芯片尺寸：MIL 漏电流： 恢复时间：ns 芯片材质： 封装尺寸：如图 特性：MOS管、N沟道MOS管 工作结温：-55℃~150℃ 10N10场效应管 10N10的电性参数：最大漏源电流10A；漏源击穿电压100V 特征： 低固有电容。 出色的开关特性。 扩展安全操作区域。 无与伦比的栅极电荷：Qg=75 nC（典型

编辑：ll 50P06-ASEMI中低压P沟道MOS管50P06 型号：50P06 品牌：ASEMI 封装：TO-252 批号：最新 最大漏源电流：-50A 漏源击穿电压：-60V RDS（ON）Max：33mΩ 引脚数量：3 芯片个数： 沟道类型：P沟道MOS管、中低压MOS管 漏电流：ua 特性：P沟道MOS管、场效应管 工作温度：-55℃~150℃ 备受欢迎的50P06 MOS管 ASEMI品牌50P06是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了50P06的最大漏源电流-50A，漏源击穿电压-60V. •细节体现差距 50P06，ASEMI品牌，工艺

编辑：ll 40P04-ASEMI中低压P沟道MOS管40P04 型号：40P04 品牌：ASEMI 封装：TO-252 最大漏源电流：-40A 漏源击穿电压：-40V 批号：最新 RDS（ON）Max：25mΩ 引脚数量：3 沟道类型：P沟道MOS管 芯片尺寸：MIL 漏电流： 恢复时间：ns 芯片材质： 封装尺寸：如图 特性：MOS管、P沟道MOS管 工作结温：-55℃~150℃ 40P04场效应管 40P04的电性参数：最大漏源电流-40A；漏源击穿电压-40V 特征： 低固有电容。 出色的开关特性。 扩展安全操作区域。 无与伦比的栅极电荷：Qg=75 nC（典

编辑：ll 30P04-ASEMI中低压P沟道MOS管30P04 型号：30P04 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 批号：最新 最大漏源电流：-30A 漏源击穿电压：-40V RDS（ON）Max：17mΩ 引脚数量：3 芯片个数： 沟道类型：P沟道MOS管、中低压MOS管 漏电流：ua 特性：P沟道MOS管、场效应管 工作温度：-55℃~150℃ 备受欢迎的30P04 MOS管 ASEMI品牌30P04是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了30P04的最大漏源电流-30A，漏源击穿电压-40V. •细节体现差距 30P04，ASEMI品牌，工

编辑：ll 65R420-ASEMI超洁MOS管65R420 型号：65R420 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 最大漏源电流：8A 漏源击穿电压：650V 批号：最新 RDS（ON）Max：0.42mΩ 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管 芯片尺寸：MIL 漏电流： 恢复时间：ns 芯片材质： 封装尺寸：如图 特性：超洁MOS管、N沟道MOS管 工作结温：-55℃~150℃ 65R420场效应管 65R420的电性参数：最大漏源电流8A；漏源击穿电压650V 特征： 低固有电容。 出色的开关特性。 扩展安全操作区域。 无与伦比的栅极电荷：Qg=75 nC（典

编辑：ll 65R330-ASEMI超洁MOS管65R330 型号：65R330 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 批号：最新 最大漏源电流：13A 漏源击穿电压：650V RDS（ON）Max：330mΩ 引脚数量：3 芯片个数： 沟道类型：N沟道MOS管、超洁MOS管 漏电流：ua 特性：N沟道MOS管、场效应管 工作温度：-55℃~150℃ 备受欢迎的65R330 MOS管 ASEMI品牌65R330是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了65R330的最大漏源电流13A，漏源击穿电压650V. •细节体现差距 65R330，ASEMI品牌，工艺芯片

编辑：ll 65R260-ASEMI超洁MOS管65R260 型号：65R260 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 最大漏源电流：15A 漏源击穿电压：650V 批号：最新 RDS（ON）Max：262mΩ 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管 芯片尺寸：MIL 漏电流： 恢复时间：ns 芯片材质： 封装尺寸：如图 特性：超洁MOS管、N沟道MOS管 工作结温：-55℃~150℃ 65R260场效应管 65R260的电性参数：最大漏源电流15A；漏源击穿电压650V 特征： 低固有电容。 出色的开关特性。 扩展安全操作区域。 无与伦比的栅极电荷：Qg=75 nC（典

编辑：ll 65R260-ASEMI超洁MOS管65R260 型号：65R260 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 最大漏源电流：15A 漏源击穿电压：650V 批号：最新 RDS（ON）Max：262mΩ 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管 芯片尺寸：MIL 漏电流： 恢复时间：ns 芯片材质： 封装尺寸：如图 特性：超洁MOS管、N沟道MOS管 工作结温：-55℃~150℃ 65R260场效应管 65R260的电性参数：最大漏源电流15A；漏源击穿电压650V 特征： 低固有电容。 出色的开关特性。 扩展安全操作区域。 无与伦比的栅极电荷：Qg=75 nC（典

编辑：ll ASE65R180-ASEMI超洁MOS管ASE65R180 型号：ASE100N10 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 批号：最新 最大漏源电流：21A 漏源击穿电压：650V RDS（ON）Max：180mΩ 引脚数量：3 芯片个数： 沟道类型：P沟道MOS管、超洁MOS管 漏电流：ua 特性：P沟道MOS管、场效应管 工作温度：-55℃~150℃ 备受欢迎的ASE65R180 MOS管 ASEMI品牌ASE65R180是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了ASE65R180的最大漏源电流21A，漏源击穿电压650V. •细节体现差距 ASE65R180，ASEMI

编辑：ll ASE200N03-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE200N03 型号：ASE200N03 品牌：ASEMI 封装：TO-252 最大漏源电流：160A 漏源击穿电压：30V 批号：最新 RDS（ON）Max：1.8mΩ 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管 芯片尺寸：MIL 漏电流： 恢复时间：ns 芯片材质： 封装尺寸：如图 特性：中低压MOS管、N沟道MOS管 工作结温：-55℃~175℃ ASE200N03场效应管 ASE200N03的电性参数：最大漏源电流160A；漏源击穿电压30V 特征： 低固有电容。 出色的开关特性。 扩展安全操作区域。 无与伦比的栅

编辑：ll ASE100N10-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE100N10 型号：ASE100N10 品牌：ASEMI 封装：TO-220 批号：最新 最大漏源电流：100A 漏源击穿电压：100V RDS（ON）Max：8.8mΩ 引脚数量：3 芯片个数： 沟道类型：N沟道MOS管、低压MOS管 漏电流：ua 特性：N沟道MOS管、场效应管 工作温度：-55℃~150℃ 备受欢迎的ASE100N10 MOS管 ASEMI品牌ASE100N10是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了ASE100N10的最大漏源电流100A，漏源击穿电压100V. •细节体现差距 ASE100

编辑：ll ASE100N03-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE100N03 型号：ASE100N03 品牌：ASEMI 封装：TO-252 最大漏源电流：100A 漏源击穿电压：30V 批号：最新 RDS（ON）Max：5.0mΩ 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管 芯片尺寸：MIL 漏电流： 恢复时间：ns 芯片材质： 封装尺寸：如图 特性：中低压MOS管、N沟道MOS管 工作结温：-55℃~175℃ ASE100N03场效应管 ASE100N03的电性参数：最大漏源电流100A；漏源击穿电压30V 特征： 低固有电容。 出色的开关特性。 扩展安全操作区域。 无与伦比的栅

编辑：ll ASE80N10-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE80N10 型号：ASE80N10 品牌：ASEMI 封装：TO-252 批号：最新 最大漏源电流：80A 漏源击穿电压：100V RDS（ON）Max：9.5mΩ 引脚数量：3 芯片个数： 沟道类型：N沟道MOS管、低压MOS管 漏电流：ua 特性：N沟道MOS管、场效应管 工作温度：-55℃~150℃ 备受欢迎的ASE80N10 MOS管 ASEMI品牌ASE80N10是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了ASE80N10的最大漏源电流80A，漏源击穿电压100V. •细节体现差距 ASE80N10,ASEMI

编辑：ll ASE80N03-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE80N03 型号：ASE80N03 品牌：ASEMI 封装：TO-252 最大漏源电流：80A 漏源击穿电压：30V 批号：最新 RDS（ON）Max：6.5mΩ 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管 芯片尺寸：MIL 漏电流： 恢复时间：ns 芯片材质： 封装尺寸：如图 特性：中低压MOS管、N沟道MOS管 工作结温：-55℃~150℃ ASE80N03场效应管 ASE80N03的电性参数：最大漏源电流80A；漏源击穿电压30V 特征： 低固有电容。 出色的开关特性。 扩展安全操作区域。 无与伦比的栅极电

编辑：ll ASE60N02-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE60N02 型号：ASE60N02 品牌：ASEMI 封装：TO-252 批号：最新 最大漏源电流：60A 漏源击穿电压：20V RDS（ON）Max：6mΩ 引脚数量：3 芯片个数： 沟道类型：N沟道MOS管、低压MOS管 漏电流：ua 特性：N沟道MOS管、场效应管 工作温度：-55℃~150℃ 备受欢迎的ASE60N02 MOS管 ASEMI品牌ASE60N02是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了ASE60N02的最大漏源电流60A，漏源击穿电压20V. •细节体现差距 ASE60N02,ASEMI品

编辑：ll ASE50N06-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE50N06 型号：ASE50N06 品牌：ASEMI 封装：TO-252 最大漏源电流：50A 漏源击穿电压：60V 批号：最新 RDS（ON）Max：15mΩ 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管 芯片尺寸：MIL 漏电流： 恢复时间：ns 芯片材质： 封装尺寸：如图 特性：中低压MOS管、N沟道MOS管 工作结温：-55℃~175℃ ASE50N06场效应管 ASE50N06的电性参数：最大漏源电流50A；漏源击穿电压60V 特征： 低固有电容。 出色的开关特性。 扩展安全操作区域。 无与伦比的栅极电

编辑：ll ASE50N03-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE50N03 型号：ASE50N03 品牌：ASEMI 封装：TO-252 批号：最新 最大漏源电流：50A 漏源击穿电压：30V RDS（ON）Max：5.8mΩ 引脚数量：3 芯片个数： 沟道类型：N沟道MOS管、低压MOS管 漏电流：ua 特性：N沟道MOS管、场效应管 工作温度：-55℃~175℃ 备受欢迎的ASE50N03 MOS管 ASEMI品牌ASE30N06是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了ASE50N03的最大漏源电流50A，漏源击穿电压30V. •细节体现差距 ASE50N03,ASEMI

编辑：ll ASE40N02-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE40N02 型号：ASE40N02 品牌：ASEMI 封装：TO-252 最大漏源电流：40A 漏源击穿电压：20V 批号：最新 RDS（ON）Max：11.2mΩ 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管 芯片尺寸：MIL 漏电流： 恢复时间：ns 芯片材质： 封装尺寸：如图 特性：中低压MOS管、N沟道MOS管 工作结温：-55℃~150℃ ASE40N02场效应管 ASE40N02的电性参数：最大漏源电流40A；漏源击穿电压20V 特征： 低固有电容。 出色的开关特性。 扩展安全操作区域。 无与伦比的栅极电

编辑：ll ASE30N06-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE30N06 型号：ASE30N06 品牌：ASEMI 封装：TO-252 批号：最新 最大漏源电流：30A 漏源击穿电压：60V RDS（ON）Max：35mΩ 引脚数量：3 芯片个数： 沟道类型：N沟道MOS管、低压MOS管 漏电流：ua 特性：N沟道MOS管、场效应管 工作温度：-55℃~175℃ 备受欢迎的ASE30N06 MOS管 ASEMI品牌ASE30N06是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了ASE30N06的最大漏源电流30A，漏源击穿电压60V. •细节体现差距 ASE30N06,ASEMI品

编辑：ll ASE10N10-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE10N10 型号：ASE10N10 品牌：ASEMI 封装：TO-252 最大漏源电流：10A 漏源击穿电压：100V 批号：最新 RDS（ON）Max：130mΩ 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管 芯片尺寸：MIL 漏电流： 恢复时间：ns 芯片材质： 封装尺寸：如图 特性：中低压MOS管、N沟道MOS管 工作结温：-55℃~150℃ ASE10N10场效应管 ASE10N10的电性参数：最大漏源电流10A；漏源击穿电压100V 特征： 低固有电容。 出色的开关特性。 扩展安全操作区域。 无与伦比的栅极

编辑：ll 36MT160-ASEMI开关电源整流方桥36MT160 型号：36MT160 品牌：ASEMI 封装：D-63 特性：插件整流方桥 正向电流：35A 反向耐压：1600V 恢复时间：>2000ns 引脚数量：5 芯片个数：4 芯片尺寸：50MIL 浪涌电流：500A 漏电流：＞10uA 工作温度：-55℃~150℃ 包装方式：3k/盘；30k/箱 备受欢迎的36MT160整流桥 ASEMI品牌GBU1016整流桥是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了36MT160整流桥的最大漏源电流35A，漏源击穿电压1600V. •细节体现差距

编辑：ll MDS100-16-ASEMI电机专用整流模块MDS100-16 型号：MDS100-16 品牌：ASEMI 封装：M18 正向电流：100A 反向电压：1600V 引脚数量：5 芯片个数：6 芯片尺寸：50MIL 漏电流：>10ua 恢复时间：>2000ns 浪涌电流：920A 芯片材质：GPP硅芯片 正向电压：1.90V 封装尺寸：如图 特性：整流模块 工作结温：-40℃~150℃ 包装方式：3k/盘；30K/箱 MDS100-16的电性参数：正向电流100A；反向电压1600V ASEMI品牌整流模块MDS100-16整流桥被广泛适用于：电源、充电器、大功率设备、工业电

编辑：ll KBPC1510-ASEMI整流桥KBPC1510参数、封装、尺寸 型号：KBPC1510 品牌：ASEMI 封装：KBPC-4 正向电流：15A 反向电压：1000V 引脚数量：4 芯片个数：4 芯片尺寸：50MIL 漏电流：>10ua 恢复时间：>2000ns 浪涌电流：300A 芯片材质：GPP硅芯片 正向电压：1.10V 封装尺寸：如图 特性：整流桥、插件桥堆 工作结温：-50℃~150℃ 包装方式：3k/盘；30K/箱 KBPC1510的电性参数：正向电流15A；反向电压1000V ASEMI品牌整流桥KBPC1510整流桥被广泛适用于：电源、充电器、适配器、LE

编辑：ll GBU1016-ASEMI开关电源整流桥GBU1016 型号：GBU1016 品牌：ASEMI 封装：GBU-4 特性：插件整流桥 正向电流：10A 反向耐压：1600V 恢复时间：>2000ns 引脚数量：4 芯片个数：4 芯片尺寸：50MIL 浪涌电流：220A 漏电流：＞10uA 工作温度：-55℃~150℃ 包装方式：3k/盘；30k/箱 备受欢迎的GBU1016整流桥 ASEMI品牌GBU1016整流桥是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了GBU1016整流桥的最大漏源电流10A，漏源击穿电压1600V. •细节体现差距 GBU1

编辑：ll SMBJ18A-ASEMI瞬态抑制二极管SMBJ18A 型号：SMBJ18A 品牌：ASEMI 封装：SMB 批号：最新 引脚数量：2 安装类型：表面贴装型 电流:18A 功率：600W 工作温度：-65°C~+150°C SMBJ18A应用领域 SMBJ18A可用于计算机系统:在计算机系统中，瞬态抑制二极管用于保护CPU、内存、I/O接口等关键部件，防止因静电放电、电源浪涌等引起的损坏。 SMBJ18A可用于通讯设备:在通讯设备中，T瞬态抑制二极管用于保护信号传输线路和接收设备，防止电磁干扰和信号失真，确保通信的

编辑：ll MUR8100AC-ASEMI快恢复二极管MUR8100AC 型号：MUR8100AC 品牌：ASEMI 封装：TO-220AC 特性：快恢复二极管 正向电流：8A 反向耐压：1000V 恢复时间：35ns 引脚数量：2 芯片个数：2 芯片尺寸：MIL 浪涌电流：125A 漏电流：10ua 工作温度：-55℃~150℃ 包装方式：500/盘；5000/箱 备受欢迎的MUR8100AC-ASEMI快恢复二极管 ASEMI品牌MUR8100AC是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了MUR8100AC的漏源电流8A，漏源击穿电压1000V. •细节体现差距 MUR8100AC

SMT贴片专用振动盘 铝合金一体振动盘 铝盘振动盘 自动送料机 压电式振动盘图片、精密高速一体振动盘 自动设计、自动加工、自行装配、自行售后

编辑：ll MUR3060PTR-ASEMI快恢复二极管对管MUR3060PTR 型号：MUR3060PTR 品牌：ASEMI 封装：TO-247 正向电流：30A 反向电压：600V 正向压降：0.98V~1.90V 引线数量：3 芯片个数：2 芯片尺寸：MIL 漏电流：10ua 恢复时间：35ns 浪涌电流：300A 芯片材质： 正向电压：1.90V 封装尺寸：如图 特性：开关电源二极管 工作结温：-50℃~150℃ 包装方式：500/管；5000/箱 MUR3060PTR-ASEMI快恢复二极管的电性参数：正向电流30A；反向电压600V MUR3060PTR肖特基二极管被广泛适用于：新能源汽车、车

编辑：ll MUR3060PT-ASEMI快恢复二极管MUR3060PT 型号：MUR3060PT 品牌：ASEMI 封装：TO-247 特性：快恢复二极管 正向电流：30A 反向耐压：600V 恢复时间：35ns 引脚数量：3 芯片个数：2 芯片尺寸：MIL 浪涌电流：300A 漏电流：10ua 工作温度：-55℃~150℃ 包装方式：500/盘；5000/箱 备受欢迎的MUR3060PT-ASEMI贴片开关二极管 ASEMI品牌MUR3060PT是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了MUR3060PT的漏源电流30A，漏源击穿电压600V. •细节体现差距 MUR3060P