Fujitsu FRAM富士通铁电存储器 4Kbit、16Kbit、64Kbit、128Kbit、256Kbit、521bit、1Mbit、2Mbit、4Mbit 铁电存储器，IIC接口，SPI接口，并行接口铁电。 4Kbit铁电存储器，IIC接口，SPI接口 MB85RC04PNF-G-JNERE1 MB85RC04VPNF-G-JNERE1 16Kbit铁电存储器，IIC接口，SPI接口 MB85RC16PNF-G-JNERE1 MB85RC16VPNF-G-JNN1ERE1 MB85RS16PNF-G-JNERE1 64Kbit铁电存储器，IIC接口，SPI接口 MB85RC64PNF-G-JNERE1 MB85RC64TAPNF-G-BDERE1 MB85RC64VPNF-G-JNERE1 MB85RS64PNF-G-JNERE1 MB85RS64TPNF-G-JNERE2 MB85RS64VPNF-G-JNERE1 128Kbit铁电存储器，IIC接口，SPI接

通知:2024年提供铁电测试服务 测试设备: 1.FETS-2000铁电材料综合测试系统 测试项目： 1.动态电滞回线 2.I - V特性 3.PUND 4.静态电滞回线 5.漏电流 6.电流-偏压 7.变温测试（温度范围RT ～260℃） 8.变温测试（温度范围-160～260℃） 测试条件： 1.高压放大器±5kV 2.频率范围0.01Hz～5kHz 样品要求： 1.正反面涂电极 2.块体、膜 委托测试询价请明确以下几点： 1.样品数量、测试项目、测试条件 2.常温、温度范围在RT ～ 260℃内的变温测试收到样品后5～7个工作日出报告 3

铁电存储技术早在1921年提出，直到1993年美国Ramtron国际公司成功开发出第一个4K位的铁电存储器FRAM产品，目前所有的FRAM产品均由Ramtron公司制造或授权。最近几年，FRAM又有新的发展，采用了0.35 m工艺，推出了3V产品，开发出“单管单容”存储单元的FRAM，最大密度可达256K位。

谁家铁电测的好啊？？？#铁电#

FeRAM铁电存储器是一种具有快速写入速度的非易失性存储器。 是一种融合了在断电的情况下也能保留数据的非易失性、随机存取两个特长的铁电随机存储器（内存）。FeRAM的数据保持，不仅不需要备用电池，而且与EEPROM、FLASH等传统的非易失性存储器相比，具有优越的高速写入、高读写耐久性和低功耗性能。 本宏科技代理品牌富士通半导体的FRAM铁电存储器从开始交付给工业市场已超过22年。 因此，富士通FeRAM是具有成熟量产制造经验的高性能和高度可

F-RAM 拥有无限耐用性与其实时性、非易失性、高吞吐量和可靠的数据捕获相结合，使其成为针对汽车和工业应用中高性能数据记录的非易失性存储器的强大选择。 由于F-RAM在各种掉电事故中，都能保证数据能存下来，确实是一种很好的存储器选择。 MB85R8M1TAMB85R8M1TAFN-G-JAE2，MB85R8M1TABGL-G-JAE1 MB85R8M2TAMB85R8M2TAFN-G-JAE2，MB85R8M2TABGL-G-JAE1 MB85R8M2TMB85R8M2TPBS-M-JAE1 MB85R4M2TMB85R4M2TFN-G-JAE2 MB85R4001AMB85R4001ANC-GE1 MB85R4002AMB85R4002ANC-GE1 MB85R1001AMB85R1001ANC-GE1 MB85R1002AMB85R1002ANC-GE1 M

MB85RC16PNF-G-JNERE1 MB85RC64TAPNF-G-BDERE1 MB85RS16PNF-G-JNERE1 MB85RS64TPNF-G-JNERE2 MB85RC04VPNF-G-JNERE1 MB85RC16VPNF-G-JNN1ERE1 MB85RS256BPNF-G-JNERE1 MB85RC16PNF-G-JNERE1 MB85RC64PNF-G-JNERE1 MB85RS64PNF-G-JNERE1 MB85RC64PNF-G-JNERE1 MB85RC256VPNF-G-JNERE1 MB85RS64PNF-G-JNERE1 MB85RS64VPNF-G-JNERE1 MB85RS64VPNF-G-JNERE1 MB85RS64VPNF-G-JNERE1 MB85RS64VPNF-G-JNERE1 MB85RS64PNF-G-JNERE1 MB85RC04VPNF-G-JNERE1 MB85RC04PNF-G-JNERE1 MB85RS64PNF-G-JNERE1 MB85RC64TAPNF-G-BDERE1 MB85RC64TAPNF-G-BDERE1 MB85RC128APNF-G-JNERE1 MB85RC64PNF-G-JNERE1 MB85RS64VPNF-G-JNERE1 MB85RS64VPNF-G-JNERE1 MB85RS128

富士通铁电存储器MB85RS256B，容量256Kbits（32KB），2.7~3.6V电压，待机电流9uA，读写频率33MHz，擦写次数1万亿次，85℃温度下可保存10年，常温下可保存200年，SOP-8封装。 兼容替代Cypress的FM25V02A、FM25W256、FM33256B、CY15B256Q 富士通MB85RS512T，替代FM25V05 富士通MB85RS2MT，替代FM25V20A

富士通铁电存储器，MB85RS256BPNF-G-JNERE1 容量256Kbits（32KB），2.7~3.6V电压，待机电流9uA，读写频率33MHz，擦写次数1万亿次，85℃温度下可保存10年，常温下可保存200年，SOP-8封装。 兼容替代Cypress的FM25V02A、FM25W256、FM33256B、CY15B256Q等 交期：一周内

富士通MB89R118C1-DIAP15-P1 1、2K Bytes FRAM (8 Bytes Block, 256Blocks) 2、13.56MHz: ISO/IEC15693,18000-3(Mode1) 3、ASK 10 / 100% Modulation, 1 out of 4 Data Coding 4、Fast Read/Write Commands (Data rate: 52.97kbps 5、Input Capacitance 24 / 96pF 6、Fast Writing: 1.4sec (2K bytes)

MB85RS64V是一款8192字节×8位配置的FRAM(铁电随机存取存储器)芯片，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元。 MB85RS64V采用串行外设接口(SPI)。 MB85RS64V能够在不使用备用电池的情况下保留数据，与SRAM功能相似。 MB85RS64V中使用的存储单元可用于1012个读/写操作，这比闪存和E2PROM支持的读写操作数量有了显着的改进。 MB85RS64V不像闪存或E2PROM那样需要很长时间写入数据，而且MB85RS64V不需要等待时间。

MB97R8120 UHF860-960MHz 8KByte ISO/IEC18000-63EPC C1G2 Ver.1.2.0 - 10万亿次 MB97R8050 UHF860-960MHz 36Byte(EPC128bit) ISO/IEC18000-63EPC C1G2 Ver.1.2.0 - 100亿次 MB89R118C HF13.56MHz 2KByte ISO/IEC15693 - 1万亿次 MB89R119B HF13.56MHz 256Byte ISO/IEC15693 - 1万亿次 MB89R112 HF13.56MHz 8KByte ISO/IEC15693 -

内置 FRAM 的 RFID 芯片“MB89R119B”对灭菌放射线的耐受性强，可进行跟踪管理。 到目前为止，富士通半导体已经开发出了高频段 (13.56MHz) 和超高频段 (860 ～ 960MHz)RFID 芯片产品。 这些产品最重要的特点就是内嵌铁电存储器（Ferroelectric Random Access Memory，FRAM）。 FRAM 具有耐辐射性，特别是其在医疗领域的灭菌放射线环境中可保持数据的特性，近几年来颇受关注。 本 篇 介 绍 的 MB89R119B 就 是 内 置256 字节 FRAM 的高频带 RFID 芯片。 与已经推广应用的 MB89R118C相

MB89R118C1-DIAP15-P1订货 富士通Fujitsu铁电 2 Kb FeRAM， 欧经理180一0256一6372

富士通铁电FRAM，MB85RS512TPNF完全兼容infineon/Cypress的FM25V05，富士通MB85RS1MT，MB85RC512，MB85RC64TA，MB85RC64V

富士通铁电FRAM代理商，完全兼容infineon/Cypress的FM25V05，富士通MB85RS512TPNF现货供应。MB85RS1MT，MB85RC512，MB85RC64TA，MB85RC64V

富士通铁电存储器 MB85RC16P，现货交期1周内 MBRC64TA现货交期1周内 MBRS64P现货交期1周内 MBRC256V现货交期1周内 MBRS256B现货交期1周内 Fujitsu FRAM富士通一级授权代理商

经核实吧主henry_1008 未通过普通吧主考核。违反《百度贴吧吧主制度》第八章规定http://tieba.baidu.com/tb/system.html#cnt08 ，无法在建设 铁电吧 内容上、言论导向上发挥应有的模范带头作用。故撤销其吧主管理权限。百度贴吧管理组

• 带宽（-3dB）1kHz~20MHz • 最大输出电压 2Vp-p • 电压增益 46dB • 超低噪声电源 ATA-5410 是用于极微小信号检测的前置放大器，采用超低噪声的电源供电，电压增益 46dB。 用于红外线传感器的检测 用于微弱磁场传感器的检测 用于光电晶体管的光检测