编辑：ll 10A10-ASEMI整流二极管10A 1000V 型号：10A10 品牌：ASEMI 封装：R-6 特性：整流二极管 正向电流：10A 反向耐压：1000V 恢复时间：35ns 引脚数量：2 芯片个数：1 芯片尺寸：MIL 浪涌电流：600A 漏电流：10ua 工作温度：-55℃~125℃ 包装方式：500/盘；5000/箱 备受欢迎的10A10-ASEMI整流二极管 ASEMI品牌10A10是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了10A10的漏源电流10A，漏源击穿电压1000V. •细节体现差距 10A10，ASEMI品牌，工艺芯片，工

编辑：ll 80FU40-ASEMI逆变焊机专用快恢复二极管80FU40 型号：80FU40 品牌：ASEMI 封装：TO-3P 正向电流：80A 反向电压：400V 正向压降：0.95V~1.10V 引线数量：3 芯片个数：2 芯片尺寸：MIL 漏电流：10ua 恢复时间：35ns 浪涌电流：400A 芯片材质： 正向电压：1.10V 封装尺寸：如图 特性：逆变焊机专用快恢复二极管 工作结温：-40℃~150℃ 包装方式：500/管；5000/箱 80FU40-ASEMI超快恢复二极管的电性参数：正向电流80A；反向电压400V 80FU40超快恢复二极管被广泛适用于：新能源

编辑：ll AO3401A-ASEMI中低压P沟道MOS管AO3401A 型号：AO3401A 品牌：ASEMI 封装：SOT-23 最大漏源电流：-4.2A 漏源击穿电压：-30V 批号：最新 RDS（ON）Max：0.06Ω 引脚数量：3 沟道类型：P沟道MOS管 芯片尺寸：MIL 漏电流： 恢复时间：5ns 芯片材质： 封装尺寸：如图 特性：中低压MOS管、P沟道MOS管 工作结温：-55℃~150℃ AO3401A场效应管 AO3401A的电性参数：最大漏源电流-4.2A；漏源击穿电压-30V 特征： 低固有电容。 出色的开关特性。 扩展安全操作区域。 无与伦比的栅极

编辑：ll AO3400A-ASEMI中低压N沟道MOS管AO3400A 型号：AO3400A 品牌：ASEMI 封装：SOT-23 批号：最新 最大漏源电流：5.8A 漏源击穿电压：30V RDS（ON）Max：30mΩ 引脚数量：3 芯片个数： 沟道类型：N沟道MOS管、低压MOS管 漏电流：ua 特性：N沟道MOS管、场效应管 工作温度：-55℃~150℃ 备受欢迎的AO3400A MOS管 ASEMI品牌AO3400A是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了AO3400A的最大漏源电流5.8A，漏源击穿电压30V. •细节体现差距 AO3400A,ASEMI品牌

编辑：ll AO3416-ASEMI中低压N沟道MOS管AO3416 型号：AO3416 品牌：ASEMI 封装：SOT-23 批号：最新 最大漏源电流：6.5A 漏源击穿电压：20V RDS（ON）Max：30mΩ 引脚数量：3 芯片个数： 沟道类型：N沟道MOS管、低压MOS管 漏电流：ua 特性：N沟道MOS管、场效应管 工作温度：-55℃~150℃ 备受欢迎的AO3416 MOS管 ASEMI品牌AO3416是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了AO34016的最大漏源电流6.5A，漏源击穿电压30V. •细节体现差距 AO3416,ASEMI品牌，工

编辑：ll AO3415-ASEMI中低压P沟道MOS管AO3415 型号：AO3415 品牌：ASEMI 封装：SOT-23 最大漏源电流：-4.0A 漏源击穿电压：-20V 批号：最新 RDS（ON）Max：0.06Ω 引脚数量：3 沟道类型：P沟道MOS管 芯片尺寸：MIL 漏电流： 恢复时间：5ns 芯片材质： 封装尺寸：如图 特性：中低压MOS管、P沟道MOS管 工作结温：-55℃~150℃ AO3415场效应管 AO3415的电性参数：最大漏源电流-4.0A；漏源击穿电压-20V 特征： 低固有电容。 出色的开关特性。 扩展安全操作区域。 无与伦比的栅极电荷

编辑：ll AO3407-ASEMI中低压P沟道MOS管AO3407 型号：AO3407 品牌：ASEMI 封装：SOT-23 最大漏源电流：-4.1A 漏源击穿电压：-30V 批号：最新 RDS（ON）Max：65mΩ 引脚数量：3 沟道类型：P沟道MOS管 芯片尺寸：MIL 漏电流： 恢复时间：5ns 芯片材质： 封装尺寸：如图 特性：中低压MOS管、P沟道MOS管 工作结温：-55℃~150℃ AO3407场效应管 AO3407的电性参数：最大漏源电流-4.1A；漏源击穿电压-30V 特征： 低固有电容。 出色的开关特性。 扩展安全操作区域。 无与伦比的栅极电荷

编辑：ll AO3404-ASEMI中低压N沟道MOS管AO3404 型号：AO3404 品牌：ASEMI 封装：SOT-23 批号：最新 最大漏源电流：5.8A 漏源击穿电压：30V RDS（ON）Max：30mΩ 引脚数量：3 芯片个数： 沟道类型：N沟道MOS管、低压MOS管 漏电流：ua 特性：N沟道MOS管、场效应管 工作温度：-55℃~150℃ 备受欢迎的AO3404 MOS管 ASEMI品牌AO3404是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了AO3404的最大漏源电流5.8A，漏源击穿电压30V. •细节体现差距 AO3404,ASEMI品牌，工艺

编辑：ll AO3402-ASEMI中低压N沟道MOS管AO3402 型号：AO3402 品牌：ASEMI 封装：SOT-23 批号：最新 最大漏源电流：4A 漏源击穿电压：30V RDS（ON）Max：60mΩ 引脚数量：3 芯片个数： 沟道类型：N沟道MOS管、低压MOS管 漏电流：ua 特性：N沟道MOS管、场效应管 工作温度：-55℃~150℃ 备受欢迎的AO3402 MOS管 ASEMI品牌AO3402是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了AO3402的最大漏源电流4A，漏源击穿电压30V. •细节体现差距 AO3402,ASEMI品牌，工艺芯

编辑：ll AO3401-ASEMI中低压P沟道MOS管AO3401 型号：AO3401 品牌：ASEMI 封装：SOT-23 最大漏源电流：-4.2A 漏源击穿电压：-30V 批号：最新 RDS（ON）Max：60mΩ 引脚数量：3 沟道类型：P沟道MOS管 芯片尺寸：MIL 漏电流： 恢复时间：5ns 芯片材质： 封装尺寸：如图 特性：中低压MOS管、P沟道MOS管 工作结温：-55℃~150℃ AO3401场效应管 AO3401的电性参数：最大漏源电流-4A；漏源击穿电压-30V 特征： 低固有电容。 出色的开关特性。 扩展安全操作区域。 无与伦比的栅极电荷：Q

编辑：ll SMBJ15A-ASEMI瞬态抑制二极管SMBJ15A 型号：SMBJ15A 品牌：ASEMI 封装：SMB 批号：2024+ 电压：15V 功率：600W 安装类型：表面贴装型 引脚数量：2 工作温度:-65°C~+150°C 类型：瞬态抑制二极管 SMBJ15A特征 SMBJ15A体积小：用于表面安装应用，以优化电路板空间。 响应时间快:击穿速度可达10-12秒量级。 漏电流低:在正常工作条件下，漏电流非常小。 击穿电压偏差小:击穿电压的偏差较小，易于控制， 塑料包装具有保险商实验室易燃性 SMBJ15A瞬态抑制二极管是一

编辑：ll SMBJ6.0A-ASEMI瞬态抑制二极管SMBJ6.0A 型号：SMBJ6.0A 品牌：ASEMI 封装：SMB 批号：最新 引脚数量：2 安装类型：表面贴装型 电压:6V 功率：600W 工作温度：-65°C~+150°C SMBJ6.0A应用领域 SMBJ6.0A可用于计算机系统:在计算机系统中，瞬态抑制二极管用于保护CPU、内存、I/O接口等关键部件，防止因静电放电、电源浪涌等引起的损坏。 SMBJ6.0A可用于通讯设备:在通讯设备中，T瞬态抑制二极管用于保护信号传输线路和接收设备，防止电磁干扰和信号失真，确保通信

编辑：ll KBPC3510-ASEMI整流桥KBPC3510参数、封装、尺寸 型号：KBPC3510 品牌：ASEMI 封装：KBPC-4 正向电流：35A 反向电压：1000V 引脚数量：4 芯片个数：4 芯片尺寸：50MIL 漏电流：>10ua 恢复时间：>2000ns 浪涌电流：400A 芯片材质：GPP硅芯片 正向电压：1.10V 封装尺寸：如图 特性：整流桥、插件桥堆 工作结温：-50℃~150℃ 包装方式：3k/盘；30K/箱 KBPC3510的电性参数：正向电流35A；反向电压1000V ASEMI品牌整流桥KBPC3510整流桥被广泛适用于：电源、充电器、适配器、LE

编辑：ll D45XT80-ASEMI电机专用整流桥D45XT80 型号：D45XT80 品牌：ASEMI 封装：DXT-5 特性：插件桥堆 正向电流：45A 反向耐压：800V 恢复时间：>2000ns 引脚数量：5 芯片个数：4 芯片尺寸：50MIL 浪涌电流：450A 漏电流：＞10uA 工作温度：-55℃~150℃ 包装方式：3k/盘；30k/箱 备受欢迎的D45XT80整流桥 ASEMI品牌D45XT80整流桥是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了D45XT80整流桥的最大漏源电流45A，漏源击穿电压800V. •细节体现差距 D45XT80

编辑：ll KBL410-ASEMI整流桥KBL410参数、封装、尺寸 型号：KBL410 品牌：ASEMI 封装：KBL-4 正向电流：4A 反向电压：1000V 引脚数量：4 芯片个数：4 芯片尺寸：50MIL 漏电流：>10ua 恢复时间：>2000ns 浪涌电流：200A 芯片材质：GPP硅芯片 正向电压：1.10V 封装尺寸：如图 特性：整流桥、插件桥堆 工作结温：-50℃~150℃ 包装方式：3k/盘；30K/箱 KBL410的电性参数：正向电流4A；反向电压1000V ASEMI品牌整流桥2W10整流桥被广泛适用于：电源、充电器、适配器、LED灯饰、大

编辑：ll TBM810-ASEMI贴片桥堆8A 1000V 型号：TBM810 品牌：ASEMI 封装：TBM-4 特性：贴片桥堆 正向电流：8A 反向耐压：1000V 恢复时间：>2000ns 引脚数量：4 芯片个数：4 芯片尺寸：50MIL 浪涌电流：50A 漏电流：＞10uA 工作温度：-55℃~150℃ 包装方式：3k/盘；30k/箱 备受欢迎的TBM810整流桥 ASEMI品牌TBM810整流桥是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了TBM810整流桥的最大漏源电流8A，漏源击穿电压1000V. •细节体现差距 TBM810整流桥,ASEMI

编辑：ll MBR40150FCT-ASEMI大功率肖特基MBR40150FCT 型号：MBR40150FCT 品牌：ASEMI 封装：TO-247 正向电流：40A 反向电压：150V 正向压降：0.95V~1.90V 引线数量：3 芯片个数：2 芯片尺寸：MIL 漏电流：10ua 恢复时间：35ns 浪涌电流：300A 芯片材质： 正向电压：1.90V 封装尺寸：如图 特性：快恢复二极管 工作结温：-65℃~150℃ 包装方式：500/管；5000/箱 MBR40150FCT-ASEMI超快恢复二极管的电性参数：正向电流40A；反向电压150V MBR40150FCT超快恢复二极管被广泛适用于：新能源汽车、

编辑：ll SBT40100VFCT-ASEMI低压降肖特基SBT40100VFCT 型号：SBT40100VFCT 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 特性：插件二极管 正向电流：40A 反向耐压：100V 恢复时间：35ns 引脚数量：3 芯片个数：2 芯片尺寸：MIL 浪涌电流：300A 漏电流：10ua 工作温度：-65℃~150℃ 包装方式：500/盘；5000/箱 备受欢迎的SBT40100VFCT-ASEMI光伏专用二极管 ASEMI品牌SBT40100VFCT是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了SBT40100VFCT的漏源电流40A，漏源击穿电压100V. •细节体

编辑：ll MUR20100CTR-ASEMI恢复二极管对管MUR20100CTR 型号：MUR20100CTR 品牌：ASEMI 封装：TO-220 正向电流：20A 反向电压：1000V 正向压降：0.95V~1.90V 引线数量：3 芯片个数：2 芯片尺寸：MIL 漏电流：10ua 恢复时间：35ns 浪涌电流：200A 芯片材质： 正向电压：1.90V 封装尺寸：如图 特性：快恢复二极管 工作结温：-50℃~150℃ 包装方式：500/管；5000/箱 MUR20100CTR-ASEMI超快恢复二极管的电性参数：正向电流20A；反向电压1000V MUR20100CTR超快恢复二极管被广泛适用于：新能源汽

编辑：ll MBR20100DC-ASEMI光伏专用二极管MBR20100DC 型号：MBR20100DC 品牌：ASEMI 封装：TO-263 特性：贴片二极管 正向电流：20A 反向耐压：100V 恢复时间：35ns 引脚数量：3 芯片个数：2 芯片尺寸：MIL 浪涌电流：200A 漏电流：10ua 工作温度：-50℃~150℃ 包装方式：500/盘；5000/箱 备受欢迎的MBR20100DC-ASEMI光伏专用二极管 ASEMI品牌MBR20100DC是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了MBR20100DC的漏源电流20A，漏源击穿电压100V. •细节体现差距 MB

编辑：ll MURF1660CT-ASEMI超快恢复二极管MURF1660CT 型号：MURF1660CT 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 正向电流：16A 反向电压：600V 正向压降：0.95V~1.90V 引线数量：3 芯片个数：2 芯片尺寸：MIL 漏电流：10ua 恢复时间：35ns 浪涌电流：175A 芯片材质： 正向电压：0.95V 封装尺寸：如图 特性：快恢复二极管 工作结温：-65℃~175℃ 包装方式：500/管；5000/箱 MURF1660CT-ASEMI超快恢复二极管的电性参数：正向电流16A；反向电压600V ARL506超快恢复二极管被广泛适用于：新能源汽车、车用

编辑：ll MUR860AC-ASEMI快恢复二极管MUR860AC 型号：MUR860AC 品牌：ASEMI 封装：TO-220AC 特性：插件二极管 正向电流：8A 反向耐压：600V 恢复时间：35ns 引脚数量：2 芯片个数：1 芯片尺寸：MIL 浪涌电流：125A 漏电流：10ua 工作温度：-55℃~150℃ 包装方式：500/盘；5000/箱 备受欢迎的MUR860AC-ASEMI快恢复二极管 ASEMI品牌MUR860AC是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了MUR860AC的漏源电流8A，漏源击穿电压600V. •细节体现差距 MUR860AC，ASEMI品

编辑：ll ARL506-ASEMI汽车专用整流二极管ARL506 型号：ARL506 品牌：ASEMI 封装：BUTTON 正向电流：50A 反向电压：600V 正向压降：1.08V 引线数量：2 芯片个数：1 芯片尺寸：MIL 漏电流：10ua 恢复时间：ns 浪涌电流：500A 芯片材质： 正向电压：1.08V 封装尺寸：如图 特性：车用二极管 工作结温：-65℃~175℃ 包装方式：500/管；5000/箱 ARL506-ASEMI汽车用整流二极管的电性参数：正向电流50A；反向电压600V ARL506汽车用整流二极管被广泛适用于：新能源汽车、车用、电源、充

编辑：ll ARL356-ASEMI车用整流二极管ARL356 型号：ARL356 品牌：ASEMI 封装：BUTTON 特性：车用整流二极管 正向电流：35A 反向耐压：600V 恢复时间：ns 引脚数量：2 芯片个数：2 芯片尺寸：MIL 浪涌电流：500A 漏电流：10ua 工作温度：-65℃~175℃ 包装方式：500/盘；5000/箱 备受欢迎的ARL356-ASEMI车用整流二极管 ASEMI品牌ARL356是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了ARL356的漏源电流35A，漏源击穿电压600V. •细节体现差距 ARL356，ASEMI品牌

编辑：ll MR756-ASEMI汽车用整流二极管MR756 型号：MR756 品牌：ASEMI 封装：BUTTON 正向电流：6A 反向电压：1000V 正向压降：1.2V 引线数量：2 芯片个数：1 芯片尺寸：MIL 漏电流：10ua 恢复时间：35ns 浪涌电流：400A 芯片材质： 正向电压：1.10V 封装尺寸：如图 特性：车用二极管 工作结温：-65℃~175℃ 包装方式：500/管；5000/箱 MR756-ASEMI汽车用整流二极管的电性参数：正向电流6A；反向电压1000V MR756汽车用整流二极管被广泛适用于：新能源汽车、车用、电源、充电器

编辑：ll HER304-ASEMI轴向高效恢复二极管HER304 型号：HER304 品牌：ASEMI 封装：DO-27 特性：轴向高效恢复二极管 正向电流：3A 反向耐压：300V 恢复时间：35ns 引脚数量：2 芯片个数：2 芯片尺寸：MIL 浪涌电流：125A 漏电流：10ua 工作温度：-55℃~150℃ 包装方式：500/盘；5000/箱 备受欢迎的HER304-ASEMI轴向高效恢复二极管 ASEMI品牌HER304是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了HER304的漏源电流3A，漏源击穿电压300V. •细节体现差距 HER30

编辑：ll FR107-ASEMI轴向快恢复二极管FR107 型号：FR107 品牌：ASEMI 封装：DO-41 正向电流：1A 反向电压：1000V 正向压降：1.2V 引线数量：2 芯片个数：1 芯片尺寸：MIL 漏电流：10ua 恢复时间：35ns 浪涌电流：30A 芯片材质： 正向电压：1.10V 封装尺寸：如图 特性：轴向二极管 工作结温：-55℃~150℃ 包装方式：500/管；5000/箱 FR107-ASEMI快恢复二极管的电性参数：正向电流1A；反向电压1000V FR107快恢复二极管被广泛适用于：电源、充电器、适配器、LED灯饰、大小家电、

编辑：ll DB157S-ASEMI小贴片整流桥DB157S 型号：DB157S 品牌：ASEMI 封装：DBS-4 特性：贴片桥堆 正向电流：1.5A 反向耐压：1000V 恢复时间：>2000ns 引脚数量：4 芯片个数：4 芯片尺寸：50MIL 浪涌电流：50A 漏电流：＞10uA 工作温度：-55℃~150℃ 包装方式：3k/盘；30k/箱 备受欢迎的DB157S整流桥 ASEMI品牌DB157S整流桥是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了DB157S整流桥的最大漏源电流1.5A，漏源击穿电压1000V. •细节体现差距 DB157S整流桥

编辑：ll KBP315-ASEMI小功率高耐压整流桥3A 1500V 型号：KBP315 品牌：ASEMI 封装：KBP-4 安装方式：直插 批号：2024+ 现货：50000+ 正向电流（Id）：3A 反向耐压（VRRM）：1600V 正向浪涌电流：50A 正向电压（VF）：1.10V 引脚数量：4 芯片个数：4 芯片尺寸：MIL 功率(Pd)：小功率 工作温度：-55°C~150°C 类型：整流扁桥、插件整流桥 应用领域 工业电源 电焊机 工业自动化设备 变频器 充电桩 KBP315整流桥描述： ASEMI品牌KBP315是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗

编辑：ll KBP312-ASEMI小电流超高电压整流桥1200V 型号：KBP312 品牌：ASEMI 封装：KBP-4 批号：2024+ 现货：50000+ 最大重复峰值反向电压：1200V 最大正向平均整流电流(Vdss)：3A 功率(Pd)：小功率 芯片个数：4 引脚数量：4 安装方式：插件 类型：插件扁桥、整流桥 正向浪涌电流IFSM：50A 正向电压：1.00V~1.10V 封装尺寸：如图 工作温度：-55°C~150°C KBP312特性： 高浪涌电流通过能力 高可靠性 高导热性能 高温焊接性能 应用领域： 开关电源 无人机专用 电焊机 逆变焊机

编辑：ll GBU1016-ASEMI新能源专用整流桥GBU1016 型号：GBU1016 品牌：ASEMI 封装：GBU-4 批号：2024+ 现货：50000+ 最大重复峰值反向电压：1600V 最大正向平均整流电流(Vdss)：10A 功率(Pd)：中小功率 芯片个数：4 引脚数量：4 安装方式：插件 类型：插件扁桥、整流桥 正向浪涌电流IFSM：220A 正向电压：1.00V~1.10V 封装尺寸：如图 工作温度：-55°C~150°C GBU1016特性： 高浪涌电流通过能力 高可靠性 高导热性能 高温焊接性能 应用领域： 开关电源 无人机专用 电焊机 逆变焊

ASED6015SH-ASEMI中低压MOS管ASED6015SH 型号：ASED6015SH 品牌：ASEMI 导通内阻：90mΩ 启动电压：2V-4V 最大漏源电流（Id）：19A 漏源击穿电压（VRM）：150V 封装：TO-252 批号：最新 安装类型：直插式封装 引脚数量：3 工作温度:-55°C~175°C 类型：场效应二极管 ASED6015SH特性： 良好的开关效率； 低内在电容； 正向压降低，功率损耗低 隔离包装设计，非常适合散热； 优异的抗湿性； 低调的包装； ASED6015SH场效应二极管定义： ASED6015SH管具有高输入阻抗、低导通电阻、开

编辑：ll MBR20100CT-ASEMI半塑封肖特基二极管MBR20100CT 型号：MBR20100CT 品牌：ASEMI 封装：TO-220 安装方式：插件 批号：最新 最大平均正向电流（IF）：20A 最大循环峰值反向电压（VRRM）：100V 最大正向电压（VF）：0.70V~0..90V 工作温度：-65°C~175°C 反向恢复时间：35ns 芯片个数：2 芯片尺寸：74mil 引脚数量：3 正向浪涌电流（IFMS）：200A 包装方式：50/管 1000/盘 3000/箱 MBR20100CT特性 参数一致 效率高 性能稳定 恢复时间短 高电流能力 低功率损耗 MBR20100CT应用领域： 无

编辑：ll MBR10200FAC-ASEMI肖特基二极管ITO-220AC封装 型号：MBR10200FAC 品牌：ASEMI 封装：TO-220FAC 安装方式：插件 批号：最新 恢复时间：35ns 最大平均正向电流（IF）：10A 最大循环峰值反向电压（VRRM）：200V 最大正向电压（VF）：0.70V~0.90V 工作温度：-65°C~175°C 引脚数量：2 芯片个数：2 芯片尺寸：72mil 正向浪涌电流（IFMS）：150A MBR10200FAC特性： 恢复时间短 低功率损耗 高效高浪涌能力 内置应变缓解 参数一致 性能稳定 MBR10200FAC应用领域： 开关电源 无人机 AI智

编辑：ll 1N5819-ASEMI超低Lov VF二极管1N5819 型号：1N5819 品牌：ASEMI 封装：DO-41 安装方式：插件 批号：最新 最大平均正向电流（IF）：1A 最大循环峰值反向电压（VRRM）：400V 最大正向电压（VF）：0.70V~0..90V 工作温度：-55°C~125°C 反向恢复时间：35ns 芯片个数：2 芯片尺寸：74mil 引脚数量：2 正向浪涌电流（IFMS）：25A 包装方式：50/管 1000/盘 3000/箱 1N5819特性 参数一致 效率高 性能稳定 恢复时间短 高电流能力 低功率损耗 1N5819应用领域： 无人机 AI智能 逆变器 逆

编辑：ll ES8JC-ASEMI超快恢复二极管ES8JC 型号：ES8JC 品牌：ASEMI 封装：SMC 安装方式：贴片 批号：最新 恢复时间：35ns 最大平均正向电流（IF）：8A 最大循环峰值反向电压（VRRM）：600V 最大正向电压（VF）：0.98V~1.70V 工作温度：-55°C~150°C 引脚数量：2 芯片个数：1 芯片尺寸：mil 正向浪涌电流（IFMS）：125A ES8JC特性： 恢复时间短 低功率损耗 高效高浪涌能力 内置应变缓解 参数一致 性能稳定 ES8JC应用领域： 开关电源 无人机 AI智能 逆变器 逆变箱 储能专用

编辑：ll MDS200-16-ASEMI充电桩整流模块MDS200-16 型号：MDS200-16 品牌：ASEMI 封装：M18 安装方式：直插 批号：2024+ 现货：50000+ 正向电流（Id）：200A 反向耐压（VRRM）：1600V 正向浪涌电流：2000A 正向电压（VF）：1.10V 引脚数量：5 芯片个数：6 芯片尺寸：MIL 功率(Pd)：大功率 工作温度：-55°C~150°C 类型：整流扁桥、插件整流桥 应用领域 工业电源 电焊机 工业自动化设备 变频器 充电桩 MDS200-16整流模块描述： ASEMI品牌MDS200-16是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳

编辑：ll GBPC3510-ASEMI整流桥GBPC3510参数、封装、尺寸 型号：GBPC3510 品牌：ASEMI 封装：GBPC-4 批号：2024+ 现货：50000+ 最大重复峰值反向电压：1000V 最大正向平均整流电流(Vdss)：35A 功率(Pd)：大功率 芯片个数：4 引脚数量：4 安装方式：插件 类型：插件方桥、整流桥 正向浪涌电流IFSM：400A 正向电压：1.00V~1.10V 封装尺寸：如图 工作温度：-55°C~150°C GBPC3510特性： 高浪涌电流通过能力 高可靠性 高导热性能 高温焊接性能 应用领域： 开关电源 无人机专用 电焊机

编辑：ll KBJ2510-ASEMI整流桥KBJ2510参数、封装、尺寸 型号：KBJ2510 品牌：ASEMI 封装：KBJ-4 批号：2024+ 现货：50000+ 最大重复峰值反向电压：1000V 最大正向平均整流电流(Vdss)：25A 功率(Pd)：大功率 芯片个数：4 引脚数量：4 安装方式：插件 类型：插件桥堆、整流桥 正向浪涌电流IFSM：350A 正向电压：1.00V~1.05V 封装尺寸：如图 工作温度：-55°C~150°C KBJ2510特性： 高浪涌电流通过能力 高可靠性 高导热性能 高温焊接性能 应用领域： 开关电源 无人机专用 电焊机 逆

编辑：ll GBJ2510-ASEMI整流桥GBJ2510参数、封装、尺寸 型号：GBJ2510 品牌：ASEMI 封装：GBJ-4 安装方式：直插 批号：2024+ 现货：50000+ 正向电流（Id）：25A 反向耐压（VRRM）：1000V 正向浪涌电流：350A 正向电压（VF）：1.10V 引脚数量：4 芯片个数：4 芯片尺寸：MIL 功率(Pd)：中小功率 工作温度：-55°C~150°C 类型：整流扁桥、插件整流桥 应用领域 工业电源 电焊机 工业自动化设备 变频器 充电桩 GBJ2510整流桥描述： ASEMI品牌GBJ2510是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳

编辑：ll KBPC1010-ASEMI新能源专用方桥KBPC1010 型号：KBPC1010 品牌：ASEMI 封装：KBPC-4 安装方式：直插 批号：2024+ 现货：50000+ 正向电流（Id）：10A 反向耐压（VRRM）：1000V 正向浪涌电流：200A 正向电压（VF）：1.10V 引脚数量：4 芯片个数：4 芯片尺寸：MIL 功率(Pd)：中小功率 工作温度：-55°C~150°C 类型：整流方桥、插件整流桥 应用领域 工业电源 电焊机 工业自动化设备 变频器 充电桩 KBPC1010整流桥描述： ASEMI品牌KBPC1010是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性

编辑：ll KBJ1010-ASEMI开关电源专用KBJ1010 型号：KBJ1010 品牌：ASEMI 封装：KBJ-4 批号：2024+ 现货：50000+ 最大重复峰值反向电压：1000V 最大正向平均整流电流(Vdss)：10A 功率(Pd)：小功率 芯片个数：4 引脚数量：4 安装方式：插件 类型：插件扁桥堆、整流桥 正向浪涌电流IFSM：240A 正向电压：1.00V~1.05V 封装尺寸：如图 工作温度：-55°C~150°C KBJ1010特性： 高浪涌电流通过能力 高可靠性 高导热性能 高温焊接性能 应用领域： 开关电源 无人机专用 电焊机 逆变焊机 逆

编辑：ll GBU608-ASEMI室内空调机专用GBU608 型号：GBU608 品牌：ASEMI 封装：GBU-4 安装方式：直插 批号：2024+ 现货：50000+ 正向电流（Id）：6A 反向耐压（VRRM）：800V 正向浪涌电流：175A 正向电压（VF）：1.10V 引脚数量：4 芯片个数：4 芯片尺寸：MIL 功率(Pd)：中小功率 工作温度：-55°C~150°C 类型：整流扁桥、插件整流桥 应用领域 工业电源 电焊机 工业自动化设备 变频器 充电桩 GBU608整流桥描述： ASEMI品牌GBU608是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击

编辑：ll MSB610-ASEMI新能源专用整流桥MSB610 型号：MSB610 品牌：ASEMI 封装：MSB-4 批号：2024+ 现货：50000+ 最大重复峰值反向电压：1000V 最大正向平均整流电流(Vdss)：6A 功率(Pd)：小功率 芯片个数：4 引脚数量：4 安装方式：贴片 类型：贴片桥堆、整流桥 正向浪涌电流IFSM：180A 正向电压：0.90V~0.96V 封装尺寸：如图 工作温度：-55°C~150°C MSB610特性： 高浪涌电流通过能力 高可靠性 高导热性能 高温焊接性能 应用领域： 开关电源 无人机专用 电焊机 逆变焊机 逆变

编辑：ll MT5016A-ASEMI三相整流桥MT5016A 型号：MT5016A 品牌：ASEMI 封装：D-63 批号：2024+ 类型：三相整流桥 电流（ID）：50A 电压(VF)：1600V 安装方式：直插式封装 特性：大功率、整流方桥 产品引线数量：4 产品内部芯片个数：4 产品内部芯片尺寸：MIL 工作结温：-55℃~150℃ 功率：大功率 包装方式：500/盒：3000/箱 MT5016A应用领域 充电桩 工业电源 变频器 逆变器 开关电源 工业自动化设备 开关电源 电源适配器

编辑：ll 36MT160-ASEMI三相电机专用36MT160 型号：36MT160 品牌：ASEMI 封装：D-63 批号：2024+ 分类：整流桥 特性：整流方桥、三相整流桥 平均正向整流电流（Id）：35A 最大反向击穿电压（VRM）：1600V 恢复时间：＞2000ns 结温：-55℃~150℃ 正向峰值电压：1.10V 引脚数量：4 芯片个数：4 芯片尺寸：MIL 36MT160特点 芯片与底板电气绝缘 真空+氮气保护焊接技术 良好的温度特性和功率循环能力 正向压降小 体积小、安装简单、维修方便 标准国际封装 36MT160整流桥描述： AS

编辑：ll KBU1010-ASEMI单向整流桥KBU1010 型号：KBU1010 品牌：ASEMI 封装：KBU-4 批号：2024+ 类型：单向整流桥 电流（ID）：10A 电压(VF)：1000V 安装方式：直插式封装 特性：大功率、整流扁桥 产品引线数量：4 产品内部芯片个数：4 产品内部芯片尺寸：MIL 工作结温：-55℃~150℃ 功率：中小功率 包装方式：500/盒：3000/箱 KBU1010应用领域 充电桩 工业电源 变频器 逆变器 开关电源 工业自动化设备 开关电源 电源适配器

编辑：ll KBPC1010-LK-ASEMI新能源专用KBPC1010-LK 型号：KBPC1010-LK 品牌：ASEMI 封装：KBPC-4 批号：2024+ 分类：整流桥 特性：整流方桥、整流桥 平均正向整流电流（Id）：10A 最大反向击穿电压（VRM）：1000V 恢复时间：＞2000ns 结温：-55℃~150℃ 正向峰值电压：1.10V 引脚数量：4 芯片个数：4 芯片尺寸：MIL KBPC1010-LK特点 芯片与底板电气绝缘 真空+氮气保护焊接技术 良好的温度特性和功率循环能力 正向压降小 体积小、安装简单、维修方便 标准国际封装 KBPC1010-LK整流

编辑：ll KBPC1010-LK-ASEMI新能源专用KBPC1010-LK 型号：KBPC1010-LK 品牌：ASEMI 封装：KBPC-4 批号：2024+ 分类：整流桥 特性：整流方桥、整流桥 平均正向整流电流（Id）：10A 最大反向击穿电压（VRM）：1000V 恢复时间：＞2000ns 结温：-55℃~150℃ 正向峰值电压：1.10V 引脚数量：4 芯片个数：4 芯片尺寸：MIL KBPC1010-LK特点 芯片与底板电气绝缘 真空+氮气保护焊接技术 良好的温度特性和功率循环能力 正向压降小 体积小、安装简单、维修方便 标准国际封装 KBPC1010-LK整流

编辑：ll ASE60DQ120BG-ASEMI高耐压快恢复二极管MUR6060PT 型号：ASE60DQ120BG 品牌：ASEMI 封装：TO-247 安装方式：插件 批号：最新 恢复时间：30ns 最大平均正向电流（IF）：60A 最大循环峰值反向电压（VRRM）：1200V 最大正向电压（VF）：1.05V~1.80V 工作温度：-55°C~150°C 引脚数量：2 芯片个数：1 芯片尺寸：mil 正向浪涌电流（IFMS）：540A ASE60DQ120BG特性： 恢复时间短 低功率损耗 高效高浪涌能力 内置应变缓解 参数一致 性能稳定 ASE60DQ120BG应用领域： 开关电源 无人机 AI