SiC Module，即碳化硅功率模块，是一种利用碳化硅(SiC)半导体材料制造的电力电子器件。与传统的硅基功率模块相比，SiC模块具有更高的热导率、更高的击穿电场强度和更低的导通电阻，这使得它们能够在更高的温度、频率和电压下工作，同时减少能量损耗。这些特性使得SiC模块在工业电机驱动等领域中具有显著的优势，推动了电子技术的发展。 　　MPRA1C65-S61模块 　　经过不懈努力，我们研发出了MPRA1C65-S61 SiC模块。这款模块采用了先进的碳化硅(Si

SemiQ 的各种碳化硅 (SiC) 二极管、模块和 MOSFET 能够满足高效率电动汽车快速充电设计的需求，具有一流的可靠性、质量和性能。 SiC模块和分立封装中的 1200V 二极管具有一系列电压和电流，可为 300kW 及以上的直流快速充电系统提供最终的效率增益。 SemiQ SiC 在电动汽车快速充电中的优势： 高效率 降低工作温度 长期可靠性 与Si相比，设计复杂性降低 超过 5400 万小时的 HTRB/H3TRB 测试 单向和双向转换 典型电动汽车充电示意图： 电动汽车快速充电用SemiQ SiC

SiC功率半导体是一种备受全球关注的前沿材料，能够提高电动汽车电池的效率约7%。为了进一步拓展业务，SKInc.在2021年和2022年两次投资约1,500亿韩元并成功收购了SKpowertech的经营权。这次收购在韩国首次构建了从SiC生产到SiC功率半导体设计和制造的完整价值链。这一举措进一步巩固了SKpowertech在半导体行业的领先地位，并为公司的未来发展奠定了坚实基础。 为了增加在全球市场的知名度，SKpowertech决定将位于浦项的工厂迁移到釜山，并进行了设备升级

为了提高核心器件IGBT、MOSFET等开发检测能力，及时有效剔除存在产品中缺陷隐患的不合格产品，实现自主产品维修，节约产品维护成本，提高产品质量的可靠性，一套动静态、雪崩、浪涌、老化可靠性等自动化大功率半导体器件测试系统，可用来满足核心功率器件的维修检测与实验室的测试研发需要。 半导体功率器件的动态参数的优良决定着器件的开关性能，通常希望的功率器件的开关速度尽可能得高、开关过程段、损耗小。但是在实际产品应用中

在全球性的能源短缺和环境恶化问题日益突出的今天，以IGBT为代表的功率半导体器件以其优良的性能广泛应用于航空航天、交通运输、绿色照明、智能家电、交流电机等各个领域。在IGBT不断向高频、高温、高压、大功率方向发展的同时，IGBT的开关损耗严重制约了其开关频率的提高，较大的du/dt和di/dt引起的电压电流过冲会使IGBT应用电路的可靠性下降，同时也会带来大量的电磁污染。而合理的IGBT测试技术，不仅能够准确测试IGBT的各项器件参数，而且

近 20 多年来，碳化硅(silicon carbide，SiC)作为一种宽禁带功率器件，受到人们越来越多的关注。与传统的硅半导体相比，碳化硅具有很多优点，如：碳化硅的禁带宽度更大，这使碳化硅器件拥有更低的漏电流及更高的工作温度，抗辐照能力得到提升；由于碳化硅材料击穿电场是硅的 10 倍，因此，其器件可设计更高的掺杂浓度及更薄的外延厚度，与相同电压等级的硅功率器件相比，导通电阻更低；碳化硅具有高电子饱和速度的特性，使器件可工作在更高

为什么要进行浪涌测试？ SiC器件虽然拥有诸多优势，但是由于SiC MOSFET栅氧工艺的局限性，其可靠性存在不少问题。 如果要实现SiC MOSFET的广泛应用，可靠性问题是必须要解决的一个问题。其中，浪涌可靠性是器件可靠性指标的一种，是指MOSFET承受浪涌电流的能力。浪涌电流是指电源接通瞬间或是在电路出现异常情况下产生的远大于稳态电流的峰值电流或过载电流。 在电子设计中，浪涌主要指的是电源刚开通的那一瞬息产生的可能高于电源本身的强力

IGBT，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。IGBT广泛应用于电焊机、中高压变频器、新能源汽车、光伏并网逆变器、有源电力滤波器、无功补偿装置、柔性高压直流输电等各个大中功率设备之中。 IGBT无疑是近年来电力电子领域中最令人注目及发展最快的一种，而建立适合高压大容量IGBT器件和模块的测试平台，探索一整

在新能源汽车中，电力驱动系统是影响新能源汽车动力性能、可靠性和成本的关键因素。目前的电力驱动部分主要由硅（Si）基功率器件组成，但电动汽车的发展，对电力驱动的小型化和轻量化提出了更高的要求。由于材料限制，传统Si基功率器件在许多方面已经逼近甚至达到了其材料的本征极限，如电压阻断能力、正向导通压降等，尤其在高频和高功率领域更显示出其局限性。而SIC功率半导体器件凭借其优异性能被各大汽车产商所青睐，希望通过应

对于任何一个器件，在使用之前，无论是生产方还是使用方都会进行充分的验证，以确定产品的性能是否符合相应的需求。今天我们就来说一说有关IGBT的一项比较重要的测试——双脉冲测试(Double Pulse Test)。 为什么叫双脉冲测试？单脉冲不可以吗？ 在大部分电力电子装置中，负载的电感量都比较大，在IGBT关断后，电感电流一般不会断流，二极管会一直续流，在此时开通IGBT，会有二极管的反向恢复过程。而单脉冲实验中是没有二极管反向恢复过程的，

SiC功率器件的电学性能测试主要包括静态、动态、可靠性、极限能力测试等，其中： （1）静态测试：通过测试能够直观反映 SiC 器件的电学基本性能，可简单评估器件的性能优劣。 各种静态参数为使用者可靠选择器件提供了非常直观的参考依据、同时在功率器件检测维修中发挥了至关重要的作用。小编推荐一款SiC静态参数测试系统ENJ2005-C，该设备可测试各类型Si·二极管、Si·MOSFET、Si·IGBT和SiC·二极管、SiC·MOSFET、SiC·IGBT等分立器件的静态参数，系统

一、IGBT应用技术的讨论 IGBT中文称之为场效应双极晶体管或隔离栅双极晶体管。IGBT已经被各种电力电子产品广泛应用，在中大功率的变流器中为主流器件。IGBT的应用技术远比MOSFET复杂，有必要对IGBT应用技术作深入的探讨。 二、IGBT的目标用户 主要目标用户为驱动各类电机的调速； 新能源的变流器：风能发电，太阳能发电（光伏）； 稳压开关电源类，高频直流焊机（恒流）等。 其他：谐波治理，高压直流输变电，电磁炉，UPS等等。 三、IGBT的前沿应

近年来，全球半导体功率器件的制造环节以较快速度向我国转移。目前,我国已经成为全球最重要的半导体功率器件封测基地。如IDM类（吉林华微电子、华润微电子、杭州士兰微电子、比亚迪股份、株洲中车时代半导体、扬州扬杰等）；模块类（嘉兴斯达、南京银茂、中车永电、西安卫光、湖北台基、宁波达新等）；设计类（青岛佳恩、无锡紫光、上海陆芯、浙江天毅、深圳芯能、成都森未等）；代工类（上海华虹、芜湖启迪、深圳方正微、中芯集成

IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种复合了功率场效应管和电力晶体管的优点而产生的一种新型复合器件,它同时具有MOSFET的高速开关及电压驱动特性和双极晶体管的低饱和电压特性，易实现较大电流的能力，既具有输入阻抗高、工作速度快、热稳定性好和驱动电路简单的优点，又具有通态电压低、耐压高和承受电流大的优点。近年来IGBT成为电力电子领域中尤为瞩目的电力电子器件，并得到越来越广泛的应用。那么IGBT的测试就变的尤为重要了，IGBT的测试

1、系统概述 ENL3010系列FRD浪涌电流测试系统的测试方法符合JB/T7626-2013中的相关标准。浪涌电流试验仪是二极管等相关半导体器件测试的重要检测设备，该设备具有如下特点： 1、该试验台是一套大电流、高电压的测试设备，电流最大可扩展至20kA,带阻断功能的设备电压可扩展至10kV,对设备的电气性能要求高。 2、该试验台的测试控制完全采用自动控制，测试可按测试员设定的程序进行自动测试。 3、该试验台采用计算机记录测试结果，并可将测试结果转

一、 概述 向半导体的接合部施加较大的反向衰减偏压时，电场衰减电流的流动会引起雪崩衰减，此时元件可吸收的能量称为雪崩耐量，表示施加电压时的抗击穿性。对于那些在元件两端产生较大尖峰电压的应用场合，就要考虑器件的雪崩能量，电压尖峰所集中的能量主要由电感和电流所决定，因此对于反激的应用场合，电路关断时会产生较大的电压尖峰。通常的情况下，功率器件都会降额，从而留有足够的电压余量，但是一些电源在输出短路时，初

为了保证产品的耐久性能，也就是产品使用的寿命。IGBT模块厂家在产品定型前都会做一系列的可靠性试验，以确保产品的长期耐久性能。一般常见的测试的项目如下图所示。 这出自一份英飞凌关于3300V IHV-B封装产品系列的产品认证报告Product Qualification Report。这个报告里的测试项目，除了ESD静电测试以外，都是和IGBT模块的寿命相关的。寿命相关测试可以分成两部分，一部分是对于芯片本身寿命的考核，另一部分是对机械连接的考核。其中对芯片本身寿

在全球性半导体行业快速发展的今天，以IGBT，MOSFET，晶闸管，第三代半导体器件（SIC）为代表的功率半导体器件以优良的性能广泛应用于航空航天、交通运输、绿色照明、白色家电、交流电机，汽车电子，变频逆变，UPS，电焊机，电源，等领域。下面以IGBT为例：在IGBT不断向高频、高温、高压、大功率方向发展的同时，IGBT的开关损耗严重制约了其开关频率的提高，较大的电压变化率和电流变化率所引起的电压和电流过冲会使IGBT应用电路的可靠性下降

1产品概述 EN-6500A IGBT动态参数测试系统是由西安易恩电气科技有限公司自主研制、生产的半导体分立器件动态参数测试的专用设备，通过使用更换不同的测试工装可以对不同封装的半导体器件进行非破坏性瞬态测试，通过软件切换可以对不同器件进行动态参数测试。可用于快恢复二极管、IGBT模块的测试。测试原理符合国军标，系统集成度高，性能稳定，具有升级扩展潜能和良好的人机交互。 联系152 4920 2572 2.2规格环境与参数指标2.2.1规格环境与参数指

近年来，全球半导体功率器件的制造环节以较快速度向我国转移。目前,我国已经成为全球最重要的半导体功率器件封测基地。如IDM类（吉林华微电子、华润微电子、杭州士兰微电子、比亚迪股份、株洲中车时代半导体、扬州杨杰等）；模块类（嘉兴斯达、南京银茂、中车永电、西安卫光、湖北台基、宁波达新等）；设计类（青岛佳恩、无锡紫光、上海陆芯、浙江天毅、深圳芯能、成都森未等）；代工类（上海华虹、芜湖启迪、深圳方正微、中芯集成

今年随着技术的进步和成本的降低，tws蓝牙耳机市场出现的井喷的势头，为迎合市场需求，韩国萨科微SLKOR （http://www.slkormicro.com）公司研发的应用于TWS蓝牙耳机霍尔hall元件传感器系列产品SL1613-TH、SL1625-SH、SL1605-SL、SL1613-SH、萨科微SLKOR MOS管系列SL3401A、SL2301S、SL2302。应用于额温枪、体温枪的型号S8550、SS8550都在大量销售中。 韩国萨科微KOREA SLKOR电子有限公司成立于2005年，总部位于韩国釜山，专业从事功率元器件与模块的设计、生产和销售。主要生产MO

650V/3A 碳化硅肖特基功率二极管，TO-252封装。免费样品。 产品特性： • 正温度系数，易于并联使用 • 不

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