5A 多类型电池充电管理集成电路CN3705概述:CN3705 是 PWM 降压模式锂电池或磷酸铁锂电池充电管理集成电路，独立对单节或多节锂电池或磷酸铁锂电池充电进行自动管理，具有封装外形小，外围元器件少和使用简单等优点。CN3705 具有恒流和恒压充电模式，非常适合锂电池或磷酸铁锂电池的充电。在恒压充电模式，恒压充电电压由外部电阻分压网络设置；在恒流充电模式，充电电流通过一个外部电阻设置。对于深度放电的电池，当电池电压低于所设置的恒

具有太阳能板 MPPT 功能的升压型多种电池充电集成电路CN3306概述: 特点:CN3306是电流模式固定频率PWM升压型多种电池充电管理集成电路。CN3306的输入电压范围4.5V至32V，外围元器件少，应用简单灵活，可用于锂电池，磷酸铁锂电池或钛酸锂电池的充电管理。⚫ PWM 升压模式充电管理⚫ 输入电压范围：4.5V 到 32V⚫ 充电电流自适应功能⚫ 具有太阳能板最大功率点跟踪功能，可用太阳能板供电CN3306 具有恒流和恒压充电模式，在恒流充电模式，充电电流通过一

PFM 升压型多节电池充电控制集成电路CN3305概述：CN3305是一款工作于2.7V到6.5V的PFM升压型多节电池充电控制集成电路。CN3305采用恒流和准恒压模式(Quasi-CVTM)对电池进行充电管理，内部集成有基准电压源，电感电流检测单元，控制电路和片外场效应晶体管驱动电路等，具有外部元件少，电路简单等优点。当接通输入电源后，CN3305进入充电状态，控制片外N沟道MOSFET导通，电感电流上升，当上升到外部电流检测电阻设置的上限时，片外N沟道MOSFET截止，电感电

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明佳达，星际金华 供求 STM32F469VET6/STM32F469VGT6/STM32F469VIT6高性能嵌入式微控制器 ARM Cortex-M4 STM32F469VET6 MCU 高性能嵌入式微控制器 IC 产品描述 STM32F469VET6 内嵌专用 PLL (PLLI2S) 和 PLLSAI，可实现音频级性能。 特性 时钟管理 4MHz 至 48MHz 晶体振荡器 带校准功能的 32kHz 晶体振荡器 ARM Cortex-M4 1MB 嵌入式微控制器 IC STM32F469VGT6 表面贴装 产品描述 STM32F469VGT6 的内部复位关闭功能仅适用于具有 PDR_ON 引脚的封装。内部上电复位 (POR) / 掉电复位 (PDR) 电路通过 PDR_ON 引脚禁

我的用户名可以找到我哦，GR8874KG 是一款高度集成、低启动电流、电流模式 PWM 控制器，具有绿色模式功能和高压启动电路。高压电流源提供启动电流，可以省去传统的启动电阻，以减少启动电阻引起的功率耗散。该控制器还包括电流感应的前沿消隐、内部斜率补偿和逐周期峰值电流限制。它还集成了软驱动以降低 EMI，栅极输出电压钳位功能以保护功率 MOSFET。GR8874 为故障情况提供多种保护，如 OLP、OVP 和 OCP。GR8874 提高了电源的性能并降低了成本。它

我的用户名可以找到我哦，GR8853AKG 是一种高压、高速、自激振荡功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有高侧和低侧参考输出通道。专有的 HVIC 和闩锁免疫 CMOS 技术可实现坚固的单片结构。前端具有可编程振荡器，类似于 555 定时器。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级和内部死区时间，旨在最大限度地减少驱动器交叉传导。两个通道的传播延迟相匹配，以简化 50% 占空比应用中的使用。浮动通道可用于驱动高侧配置中的 N-MOSFET 或 IGBT，该配置由高达 600 伏的高压

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24W 全新一代PD快充移动电源SOC（SW6206、SW6208）：全接口AABCL、全协议、全集成QC4+/PPS/SCP/VOOC…自带188数码管驱动输入输出效率整体再提升3%SW6206 是一款高集成度的多协议双向快充移动电源专用多合一芯片，支持A+A+B+C+L 口任意口快充。其集成了5A高效率开关充电，20W高效率同步升压输出，PPS/PD/QC/AFC/FCP/SCP/PE/SFCP/VOOC 等多种快充协议，电量计量，LED 灯/数码管显示以及相应的控制管理逻辑。外围只需少量的器件，即可组成完整的高性能双向快充移动电源解决

明佳达，星际金华供求 STM32F437ZIT6，STM32F437AIH6，STM32F437IGT6高性能微控制器 144-LQFP 表面贴装 STM32F437ZIT6 ARM Cortex-M4 32 位微控制器 IC 产品描述 STM32F437ZIT6 器件基于高性能的 Arm® Cortex®-M4 32 位 RISC 内核，工作频率高达 180 MHz。 功能特点 LCD 并行接口，8080/6800 模式 Chrom-ART Accelerator™ 用于增强图形内容创建（DMA2D） 时钟、复位和电源管理 169-UFBGA 表面贴装 STM32F437AIH6 180MHz 2MB 微控制器 MCU IC 产品描述 STM32F437AIH6 具有单精度浮点运算单元 (FPU)，支持所有 Arm® 单精

入职两年了，感觉自己什么也不会。对这个行业就像刚入门一样，想学习又不知道学什么，有木有大佬指个方向。感谢大佬的经验分享。

明佳达，星际金华供求 SPC564A70L7COBR/SPC564A70L7CFAR/SPC564A70L7CFBR嵌入式MCU 微控制器 MCU SPC564A70L7COBR 32 位电源架构 MCU 120MHz IC 芯片 产品描述 SPC564A70L7COBR 具有两级存储器层次结构，包括 8 KB 指令高速缓存、128 KB 片上 SRAM 和 2 MB 内部闪存。 功能特点 故障安全保护 16 条目内存保护单元（MPU） 带 3 个子模块的 CRC 单元 3 个 eSCI 模块 3 个 DSPI 模块（其中 2 个支持下游微秒通道 [MSC） 3 个 FlexCAN 模块，每个模块有 64 个信息缓冲器 1 个 FlexRay 模块（V2.1），最高 10 Mbit/

SAM声学扫描,X-RAY,SEM扫描电镜、EDS能谱分析测试，有需求的私聊

概述 OC5864 是一款内置功率 MOSFET 的单片降压型开关模式转换器。OC5864 在 5.5-60V 宽输入电源范围内实现 0.6 A 峰值输出电流，并且具有出色的线电压和 负载调整率。 OC5864 采用 PWM 电流模工作模式， 环路易于稳定并提供快速的瞬态响应。 OC5864 集成了包括逐周期电流限制 和热关断等保护功能。 OC5864 采用 SOT23-6 封装，且外围 元器件少。 特点 0.6A 的峰值输出电流 0.9Ω 的内部功率 MOSFET 可采用大输出电容启动 低 ESR 陶瓷电容输出稳定 效率高达 90% 固定 500kHz

薪资1.5-2.5 按照面试情况以及经验级别定薪，优秀可谈 岗位职责 1、负责电控系统的线束设计，包括线束布局、走线和连接方案的开发 2、根据电控系统的要求，制定线束设计的技术规范和标准。 3、分析电气原理图，确保线束设计满足系统的功能和性能要求。 4、制作详细的线束图纸，包括2D平面图和3D布局图。 5、选择合适的线束组件，如导线、连接器、端子、绝缘材料等 6、参与线束的性能测试，包括电气性能、机械性能和环境适应性测试 7、与电气

可以了解一下芯智学院，我是前几个月报名的IC线下验证。其实每个机构课程都差不多的，主要是价格和服务。 行业里比较大的几个机构： 1.叩持（陕西）-IC修真院，如果要说排名的话，要从综合实力方面考虑，我觉得IC修真院应该是业界内比较有名，且比较大的一家机构了，目前好像是只有他们一家机构可以做流片项目。但是他们家的价格还是比较高的，这个问下来不太适合我，毕竟现在就业环境也没有很好，我学习也是想补充一下，增加技能，性

有没有培训过的学生呢？哪个数字ic后端设计的培训机构比较靠谱？哪个最好呢？

大东微电子 欧创芯 OC5822 可PIN TO PIN TD1660/SY8492 欧创芯 OC5822 产品应用： 1、工业电源：a、电源主板供电;b、驱动LDO降压供电 2、POE电源模块供电 3、汽车流线灯灯带电源供电 产品优势： 1、输入宽电压，可实现零压差； 2、恒压精度高； 3、动态负载特性好

如题

TMUX1109PWR：5V 双通道精密多路复用器 一、描述： TMUX1109PWR 是精密互补金属氧化物半导体 (CMOS) 多路复用器 (MUX)。TMUX1109 提供差分 4:1 或双路 4:1 单端通道。1.08V 至 5.5V 的宽工作电源电压范围使其适用于从医疗设备到工业系统的各种应用。 星际金华，明佳达供应，回收TMUX1109PWR【多路复用器】 二、产品属性： 开关电路：DP4T 多路复用器/解复用器电路：4：1 电路数：2 导通电阻（最大值）：4 欧姆 通道至通道匹配 (ΔRon)：180 毫欧 电压 - 供电，双 (V±)：±2.75

集成电路前景如何 会像土木一样吗

有没有8u懂得，用180nm得model文件能跑65nm的仿真吗，我跑是没问题，只是最小宽长比得跟180nm一样，其他都一样

#华钻电子#概述 OC5822 是一款内置功率 MOSFET的单片降压型开关模式转换器。 OC5822在 6-60V 宽输入电源范围内实现 1.5 A最大输出电流，并且具有出色的线电压和负载调整率。 OC5822 采用 PWM 电流模工作模式，环路易于稳定并提供快速的瞬态响应。 OC5822 外部提供 FS 脚，可通过外接一个电阻设置工作频率。 OC5822 集成了包括逐周期电流限制和热关断等保护功能。 OC5822 采用 SOP8 封装，且外围元器件少。 特点 1.5A 的最大输出电流 60V/2A 的内部功率 MOSFET 效率高达

转载自——钟林谈芯 目前使用的Wi-Fi设备约有200亿台，Wi-Fi的经济价值估计约为4万亿美元。它继续保持着显著的行业势头，其中6GHz频段的推进是目前最引人注目的因素。对于Wi-Fi来说，现在是一个前所未有的令人兴奋的时代，各行各业的企业正在推动数字化转型，需要在其数字化流程中实现最新的Wi-Fi技术，实现下一代连接。 在新冠疫情及其引发的社会变革之后，数字化转型的速度加快了。Wi-Fi仍然是开启新商机和提高效率的核心，但必须与5G/6G技术

概述 OC5864 是一款内置功率 MOSFET的单片降压型开关模式转换器。 OC5864在 5.5-60V 宽输入电源范围内实现 0.6 A峰值输出电流，并且具有出色的线电压和负载调整率。 OC5864 采用 PWM 电流模工作模式，环路易于稳定并提供快速的瞬态响应。 OC5864 集成了包括逐周期电流限制和热关断等保护功能。 OC5864 采用 SOT23-6 封装，且外围元器件少。 特点 0.6A 的峰值输出电流 0.9Ω 的内部功率 MOSFET 可采用大输出电容启动 低 ESR 陶瓷电容输出稳定 效率高达 90% 固定 500kHz 频率

明佳达，星际金华供求单片机XMC4504-F144F512 AC/XMC4500-F100K768 AC/XMC4502-F100F768 AC XMC4504-F144F512 AC 微控制器 IC 32 位 512KB FLASH 144-LQFP 封装 产品说明 XMC4504-F144F512 AC 具有 1024 KB SRAM 和三个独立控制器。SRAM0 以 32KB 为增量提供深度睡眠保留，而 SRAM1/2 则可在完全保留和不保留之间进行选择。 功能特点 使用数字签名验证 使用快速安全启动 AES 128 位块、128/192/256 位密钥 微控制器 MCU XMC4500-F100K768 AC 微控制器 IC 表面贴装 产品描述 XMC4500-F100K768 AC 的每个通道都使用专用

概述 OC5266B 是内置功率 MOS，同时可支持外扩驱动 NMOS 的一款连续电感电流导通模式的降压型 LED 恒流驱动器，用于驱动一个或多个 LED 灯串。OC5266B工作电压从 4.8V 到 65V，提供可调的输出电流，内置 MOS 最大 1.5A 输出。 OC5266B 内置功率开关，采用高端电流检测电路，以及兼容 PWM 和模拟调光的调光脚 DIM。当 DIM 脚电压低于 0.3V时输出关断，进入待机状态。 OC5266B 内置过温保护电路，当芯片达到过温保护点进入过温保护模式，输出电流逐渐下降以提高系统

随着科技的飞速发展，半导体已成为我们生活中不可或缺的一部分。回顾历史，石油曾是全球经济的命脉，谁控制了石油，谁就掌握了世界的经济脉搏。而今天，半导体正扮演着类似的角色。半导体已不再是简单的科技产物，它已成为全球经济的“新石油”，关乎国家安全！从智能设备到国防科技，半导体无处不在。某大国虽曾领先，但亚洲新星的崛起让竞争愈演愈烈。 半导体已成为新时代的战略资源，其重要性不言而喻。各国政府必须高度重视半

明佳达，星际金华供求 STM32H563IIK6，STM32H563VIT6，STM32H563ZIT6高性能MCU 高性能 STM32H563IIK6 微控制器芯片 250MHz 微控制器 MCU 产品描述 STM32H563IIK6 的 Cortex®-M33 内核实现了全套 DSP（数字信号处理）指令和内存保护单元 (MPU)，从而提高了应用的安全性。 特性 640 千字节 SRAM（64 千字节 SRAM2，带 ECC；320 千字节 SRAM3，带灵活 ECC） 在低功耗模式下提供 4 K 字节的备用 SRAM 灵活的外部存储器控制器，数据总线高达 16 位： SRAM、PSRAM、FRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND 存储器

我堂妹是新加坡南洋理工大学的博士，本科和博士都在南洋理工读的，集成电路专业。快要毕业了。问下是留在新加坡好还是回国发展好？

XC7S15-1CPGA196I：Spartan®-7 现场可编程门阵列（FPGA）IC 型号：XC7S15-1CPGA196I 封装：CSBGA-196 类型：FPGA - 现场可编程门阵列 Spartan®-7 系列：针对低成本、低功耗和高 I/O 性能进行了优化。采用低成本、超小型封装，可实现最小的 PCB 基底面。 星际金华，明佳达供应，回收XC7S15-1CPGA196I【FPGA - 现场可编程门阵列】 XC7S15-1CPGA196I - 产品属性： 逻辑元件数量：12800 LE 自适应逻辑模块 - ALM：2000 ALM 嵌入式内存：360 kbit 输入/输出端数量：100 I/O 电源电压：950 mV ~ 1.05 V 工

冷热冲击试验机是专为集成电路提供的一种可靠性检测设备，主要提前测试产品的不良与缺陷然而加以改进创新的过程，试验参数主要是高温和低温， 高温分别是95度，125度，135到150度左右，低温则是-20度，-40度，-50度，-65度等区间范围，测试的时间不能少于1000个循环。 广东艾思荔公司主要提供集成电路的检测设备， 如冷热冲击试验机，高压加速老化试验机HAST，恒温恒湿，双85高温高湿，三合一等。

转自微信公众号--钟林谈芯 新的时代已经来临，旧的时代就将落幕了吗？ 进入2024年，越来越多的客户开始关注非线性Wi-Fi FEM，当我们还在拼命内卷线性Wi-Fi FEM的时候，时代的列车已经开向非线性Wi-Fi FEM。Wi-Fi FEM指的是用于Wi-Fi 通信将一系列射频前端电路例如功率放大器（PA）、射频开关（Switch）、低噪声放大器（LNA）集成在一起的射频模组。下游应用场景广泛，主要包括智能手机、路由器、平板电脑、游戏机等。 时代抛弃你的时候，连一句再见都不

亲爱的集成电路吧的吧友们：大家好！ @芯半导体. 为本吧吧主候选人得票最多者，共计0张真实票数，根据竞选规则，官方最终批准其成为本吧正式吧主。公示期三天。 吧主上任后，请立即填写问卷信息https://iwenjuan.baidu.com/?code=nlec1g，领取各项吧主权益。同时请严格遵守吧主协议 https://tieba.baidu.com/mo/q/newapply/rule?from=task，履行吧主义务，积极投身本吧的发展建设，也请广大吧友进行监督。如出现违规问题，请至贴吧反馈中心进行反馈或者投诉http://tieba.

明佳达，星际金华 供求 PIC32CM5164LE00048-I/Y8X，PIC32CM2532LE00048-I/Y8X嵌入式MCU PIC32CM5164LE00048-I/Y8X 超低功耗安全增强型触摸 MCU 微控制器 产品描述 PIC32CM5164LE00048-I/Y8X 是在 PIC32CM LS00/LS60 器件上实现的可选内核扩展，可将系统和软件划分为安全域和非安全域。 功能特点 多达八个篡改输入引脚和八个篡改输出引脚，用于静态和动态入侵检测 一个真正的随机数发生器 (TRNG) 数据闪存和 TrustRAM 快速篡改、静默访问功能 PIC32CM2532LE00048-I/Y8X 32 位 48MHz 微控制器 IC 产品

明佳达，星际金华 供求MTFC32GAZAQHD-IT，MTFC32GAZAQHD-WT，MTFC64GAZAQHD-IT存储器 MTFC32GAZAQHD-IT FLASH-NAND 256Gbit 200MHz 153-VFBGA 存储器 IC 产品描述 MTFC32GAZAQHD-IT 适用于 SSD、平板电脑、智能手机和其他无线设备等高密度存储设备。MTFC32GAZAQHD-IT 是高性能、高耐久性和低功耗小型应用的理想之选。 应用 物联网 汽车 嵌入式应用 MTFC32GAZAQHD-WT 256Gbit FLASH - NAND 存储器 IC 153-VFBGA 产品描述 MTFC32GAZAQHD-WT 是一款高性能、高耐用性和低功耗的小型应用产品，可满足物联网、汽车和

0.05torr-0.1-1-2–10-20-50-100–200-500-1000Torr各种型号的真空规感应器，需要可以私信我

ECM-HAST绝缘电阻劣化评估系统是一种信赖性试验设备，原理为印刷电路板上给予一固定的直流电压，经过长时间的测试（1～1000小时）并观察线路是否有瞬间短路的现象发生，并记录电阻值变化状况，故又叫做CAF试验，绝缘阻力电阻试验，我们将其统称为绝缘劣化试验，可进行BHAST试验。在高温高湿条件下，对电子零部件以及印刷电路板的绝缘部分测试电阻值，也能够进行高效率的绝缘可靠性评估。 ECM-HAST特点： ·高机能：采用高端驱动计测，测试时焊

明佳达，星际金华供求 MT25QU02GCBB8E12-0AUT，MT40A512M16LY-062E AUT:E存储器 MT25QU02GCBB8E12-0AUT： 产品描述 MT25QU02GCBB8E12-0AUT是一个高性能的多输入/输出串行闪存器件。它具有高速SPI兼容总线接口、就地执行（XIP）功能、先进的写保护机制和扩展地址访问。创新的、高性能的、双路和四路输入/输出指令使读取和编程操作的传输带宽增加了一倍或四倍。 产品规格 存储器类型： 非易失性 存储器格式： FLASH 技术： FLASH - NOR 存储器大小： 2Gbit 存储器组织： 256M x 8 存

申请人：@芯半导体. 申请感言：尊敬的百度管理员： 你好！我申请做集成电路吧的吧主。我的申请理由如下：1.我担任过吧主，具有一定的贴吧管理能力，有能力处理贴吧事务。2.我每天有充足的时间上网，管理集成电路吧。3.我是半导体集成电路行业工作，熟悉行业知识。4.我在集成电路吧发了很多有分享性的贴子。5.目前集成电路吧比较冷清，但是我相信，通过我的宣传，一定能聚集大量人气。希望百度能给我一个担任吧主的机会，谢谢~