台湾积体电路制造公司（TSMC）于近日宣布将推出更紧凑和低耗能的16nm FinFET制程，并公开更小制程节点的技术蓝图。此外，TSMC将于今年年中开始量产16nm FinFET Plus制程，并在明年成立全新的10nm圆晶厂。

在20nm芯片量产持续一年后，TSMC终于确定将在2015年年中开始量产16FF+，据悉，使用FinFET Plus制程生产的芯片将比硅芯片性能高出10%，比20nm系统芯片（SoC）少消耗50%电量，产出周期是20nm芯片的两倍。
另外，TSMC开发的16nm FinFET芯片制程名为16FFC，主要面向中低端智能手机、消费产品和穿戴产品，该技术能将电量消耗减至0.55伏特，其产品投片预计到2016年年中。

而TSMC联合CEO刘德音则表示，今年年底，TSMC代工厂会有超过50个投片，涵盖应用处理器、GPU、汽车应用半导体以及网络处理器。此外，TSMC已与ARM就新一代芯片制程达成合作，借助16FF+制程将Cortex-A72的性能提升至Cortex A-15的3.5倍，减少75%的电量消耗。

除了16nm芯片制程之外，TSMC还发布了一直以来众说纷纭的10nm的技术蓝图，并展示了用10nm制程生产的256 MB静态随机存储器（SRAM）。10nm制程跟16nm节点相比，逻辑密度是后者的2.1倍，速度增加了20%，电量消耗减少了40%。
CSDN驻美国硅谷专家Jimmy Gan表示，今年三星和苹果将分别对Samsung S6以及iPhone 7使用全新的Finfet技术，可减少35%的电量消耗，将手机性能提升20%（CPU）/40%（GPU）。而有望于10月上市的新一代Apple TV Box也会采用该项技术，使画质提升100%，性能超越Xbox/PS 4。而到明年，Apple Watch也会用Finfet技术将电池寿命延长30%。
TSMC的16nm跟其他14nm产品大同小异，而其竞争对手，来自韩国的芯片巨头三星却已经在今年的全球移动大会上宣布将在Galaxy S6中安装14nm芯片。对此，International Business Strategies CEO Handel Jones表示，“不论是16FF还是16FF+，成本都是个大问题。我们也预计功耗电容成本会上升。在16FFC问世后，TSMC就承认了这点。若16FFC的电能消耗再降低一些，就很有优势了。但如果三星生产大容量芯片的传言是真的，那么很明显它就领先TSMC一步。”