MOS管是ZVS的核心，是ZVS中最重要的部分之一，管子的选用往往关系着电路的效率、工作电压、最大功率及耐虐性能 ，所以选择mos管很重要、根据电源的供电选择合适的MOS管也是很重要的。
一般大家做ZVS都用IRFP250或260，IRFP250耐压200V耐流30A，可以作平常电压（约8~50V）和功率（极限214W）的使用；IRFP260只是耐流比250高20A，功率大一点（极限300W）。只不过封装为TO-247，体积稍大。
当然也有吧友用IRFP450、460、540等，也说一下。IRFP450和460的耐压比较高（500V），但耐流较低（450耐14A，460耐20A），ZVS可以用在约125V以内。IRF540在约25V36A以内使用是没问题的。小体积封装（TO-220）。 如果用在稍微低一点电压的环境中（约5~14V）用IRFP250就不如用IRF3205了。IRF3205耐压55V耐流110A，低压性能比IRFP250好得多，只是功率稍小（极限200W），但它的封装较小（TO-220）也有贴片的（TO-263）可以做小型ZVS。与之同级别的MOS管还有IPP032N06N（耐压60V耐流120A）
如果有吧友要做单节锂电或手机充电器（作死）为电源做ZVS，MOS管推荐用IRLR7843或IRLR8743。7843和8743耐压一样（30V），耐流差别很小（前者为161A，后者为160A），但由于它们的封装是小体积贴片（TO-252）， 所以最大功率不算太大（分别为140W和135W）。低耐压决定了它们可以在很低电压（约7V以下）的ZVS中正常工作，效果比IRF3205还要好。
有些吧友是土豪，要做大功率ZVS，这里推荐几种MOS管，最大功率大部分都约为520W。IRFP4368，耐压75V耐流350A。ZVS输入约19V以内都没问题。某壕要拿24V电瓶上？用IRFP4468！耐压100V耐流290A。用IRFP4668，耐压200V耐流130A，拿48V电瓶都没问题！IRFP4232和IRFP4768耐压都是250V，但IRFP4768耐流为93A，IRFP4232耐流则为60A，最大功率是430W，比其他土豪MOS稍弱。IRFP4868，耐压300V，耐流70A，ZVS输入电压要控制在75V以内。“土豪级”MOS管封装皆为体积稍大的TO-247。
如果既要追求小体积又要追求低压大电流，那么以下MOS管就是较好的选择了。IRF1404耐压40V耐流162A最大功率200W，适合10V以内使用，TO-220封装。IRF1407S耐压75V耐流100A最大功率200W，适合约19V以内使用，TO-263贴片封装。STB120NF10耐压100V耐流120A最大功率312W，适合25V以内使用，TO-263贴片封装。STB160NF03L耐压30V耐流160A最大功率300W，适合约7V以内使用，TO-263贴片封装。NTMFS4833N耐压30V耐流191A最大功率125W，适合约7V以内使用，SO-8 FL小体积贴片封装。IRF2807耐压75V耐流82A最大功率230W，适合约19V以内使用，TO-220封装。
UTT150N06耐压60V耐流150A最大功率231W，适合15V以内使用，TO-220封装。AOB1100L耐压100V耐流130A最大功率500W，适合25V以内使用，TO-263贴片封装。IRFS4310耐压100V耐流140A最大功率330W，适合25V以内使用，TO-263贴片封装。BUK964R7-80E耐压80V耐流120A最大功率324W，适合20V以内使用，TO-263贴片封装。BUK962R2-40C耐压40V耐流280A最大功率333W，适合10V以内使用，TO-263贴片封装。
IRFS3004-7PPBF耐压40V耐流400A最大功率380W，适合10V以内使用，TO-263 7P贴片封装。IRFS3006-7P耐压60V耐流293A最大功率375W，适合15V以内使用，TO-263 7P贴片封装。IRFS3107-7P耐压75V耐流260A最大功率370W，适合约19V以内使用，TO-263 7P贴片封装。IRFS7430耐压40V耐流426A最大功率375W，适合10V以内使用，TO-263贴片封装。IRFS8409-7P耐压40V耐流522A最大功率375W，适合10V以内使用，TO-263 7P贴片封装。

【关于并串联】
一些吧友为了想达到自己所需的电压电流与功率，常把MOS管并串联，要知道MOS管只相当于一个快速开关，由于每个管子的差异必定先有一个开启，而此时线路电压可能超过MOS管耐压而炸管，其它被串联的MOS管很可能因此而发生连锁反应，结果每个管都炸了。在ZVS中，并联场管后电流将成为原来的6倍而非2倍！很多吧友因此而烧了电源，一定要注意。
【关于内阻及结电容】
场管的耐流取决于内阻。理论上根据欧姆定律，在耐压相同时内阻越小耐流越大。假如耐压耐流功率都一样时，当然是内阻越小越好。结电容有吸收尖峰、自我保护作用，同时也影响MOS管的开关速度。结电容大了，EMI会相对小一些，但是损耗会加大。而且充电速度慢同时也降低开关速度，这点在图腾柱上影响较大。

【关于耐流】
很多大电流的MOS管在datasheet上都会写两个Id（通态漏极电流）：Silicon Limited和Package Limited。Silicon Limited表示这个MOS管里的硅的耐流，Package Limited表示封装后这个封装的耐流。那些大电流MOS管Silicon Limited大于Package Limited，就会写两个Id。那些MOS管耐流可能达不到Silicon Limited，因为有封装的限制。前文耐流皆为Silicon Limited。
所有MOS管参数皆来源于alldatasheet.com。
本帖楼主纯手打。
完。。。