PingWest品玩12月11日讯，据anandtech消息，英特尔在IEEE国际电子设备会议（IEDM）上发布了未来十年制造工艺扩展路线图，将在2029年实现1.4纳米芯片。
从2019年的10纳米工艺开始，到2021年转向7纳米EUV（极紫外光刻），2023年采用5纳米，2025年3纳米，2027年2纳米，最终到2029年的1.4纳米。1.4纳米大小相当于12个硅原子。在两代工艺节点之间，会引入+和++工艺迭代版本。由于目前已经处于10+版本阶段，所以2020年和2021年会直接出现10++和10+++版本。
英特尔在十年路线图提到了“反向移植”（back porting）。反向移植是芯片设计时考虑的一个进程节点能力，即任何第一代7纳米设计可以反向移植到10++版本上，任何第一代5纳米设计可以反向移植到7++版本上，然后是3纳米反向移植到5++，2纳米反向移植到3++上，依此类推。
从2019年的10纳米工艺开始，到2021年转向7纳米EUV（极紫外光刻），2023年采用5纳米，2025年3纳米，2027年2纳米，最终到2029年的1.4纳米。1.4纳米大小相当于12个硅原子。在两代工艺节点之间，会引入+和++工艺迭代版本。由于目前已经处于10+版本阶段，所以2020年和2021年会直接出现10++和10+++版本。
英特尔在十年路线图提到了“反向移植”（back porting）。反向移植是芯片设计时考虑的一个进程节点能力，即任何第一代7纳米设计可以反向移植到10++版本上，任何第一代5纳米设计可以反向移植到7++版本上，然后是3纳米反向移植到5++，2纳米反向移植到3++上，依此类推。
