标准包装 3,000
包装 标准卷带
零件状态不適用於新設計
类别分立半导体产品
产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单个
系列-
其它名称785-1002-2
规格
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）2.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）55 毫欧 @ 4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）1.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）4.34nC @ 4.5V
Vgs（最大值）±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）390pF @ 15V
FET 功能-
功率耗散（最大值）1.4W（Ta）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装SOT-23-3L
封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3