AO4459结合了先进的沟槽MOSFET
低电阻封装技术提供
RDS（ON）极低。该设备是负载开关的理想选择
和电池保护应用。
标准包装3,000
包装标准卷带
类别分立半导体产品
产品族晶体管-FET，MOSFET-单个
系列-
其他名称785-1036-2
规格
场效应管类型P通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）30V
25°C时电流-连续连续（Id）6.5A（Ta）
驱动电压（最大Rds On，最小Rds On）4.5V，10V
不同Id，Vgs时导通电阻（最小值）46毫欧@ 6.5A，10V
不同Id时Vgs（th）（每秒）2.5V @ 250µA
不同的Vgs时温度升高（Qg）（每秒）16nC @ 10V
Vgs（±）±20V
不同Vds时输入电容（Ciss）（每秒）830pF @ 15V
场效应管功能-
功率耗散（最大值）3.1W（Ta）
工作温度-55°C〜150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装8-SOIC
封装/外壳8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）