EEPROM和FLASH，NAND FLASH和NOR FLASH有什么区别？
存储器分为两大类：RAM和ROM，这次主要讨论ROM。
ROM最初是不能编程的，出厂什么内容就永远什么内容，不灵活。后来出现了PROM，可以自己写入一次，要是写错了，只能换一片，自认倒霉。人类文明不断进步，终于出现了可多次擦除写入的EPROM，每次擦除要把芯片拿到紫外线上照一下，想一下你往单片机上下了一个程序之后发现有个地方需要加一句话，为此你要把单片机放紫外灯下照半小时，然后才能再下一次，这么折腾一天也改不了几次。历史的车轮不断前进，伟大的EEPROM出现了，拯救了一大批程序员，终于可以随意的修改ROM中的内容了。EEPROM的全称是“电可擦除可编程只读存储器”，即Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory。是相对于紫外擦除的ROM来讲的。但是今天已经存在多种EEPROM的变种，变成了一类存储器的统称。狭义的EEPROM：
这种ROM的特点是可以随机访问和修改任何一个字节，可以往每个bit中写入0或者1。这是最传统的一种EEPROM，掉电后数据不丢失，可以保存100年，可以擦写100w次。具有较高的可靠性，但是电路复杂/成本也高。因此目前的EEPROM都是几十千字节到几百千字节的，绝少有超过512K的。例如我们常见的24C02：
广义的EEPROM：
FLASH属于广义的EEPROM，因为它也是电擦除的ROM。但是为了区别于一般的按字节为单位的擦写的EEPROM，我们都叫它flash。
flash做的改进就是擦除时不再以字节为单位，而是以块为单位，一次简化了电路，数据密度更高，降低了成本。上M的rom一般都是flash。如W25Q128JVSIQ：
flash分为nor flash和nand flash。
nor flash：
nor flash数据线和地址线分开，可以实现ram一样的随机寻址功能，可以读取任何一个字节。但是擦除仍要按块来擦。依然W25Q128JVSIQnand flash：
nand flash同样是按块擦除，但是数据线和地址线复用，不能利用地址线随机寻址。读取只能按页来读取。（nandflash按块来擦除，按页来读，nor flash没有页），例如：W29N01HVSINA
由于nand flash引脚上复用，因此读取速度比nor flash慢一点，但是擦除和写入速度比nor flash快很多。nand flash内部电路更简单，因此数据密度大，体积小，成本也低。因此大容量的flash都是nand型的。小容量的2～12M的flash多是nor型的。
使用寿命上，nand flash的擦除次数是nor的数倍。而且nand flash可以标记坏块，从而使软件跳过坏块。nor flash 一旦损坏便无法再用。
因为nor flash可以进行字节寻址，所以程序可以在nor flash中运行。嵌入式系统多用一个小容量的nor flash存储引导代码，用一个大容量的nand flash存放文件系统和内核。
我司专业生产IC测试座，提供各种flash测试座，实现免焊接擦除flash以及测试flash坏环。列如上面所提到的24C02、W25Q128JVSIQ、W29N01HVSINA三款封装的IC相对应我司DIP8-2.54、SOP8-1.27、TSOP48-0.5三种款IC测试座，实物图如下图所示：
（1）24C02对应我司DIP8测试座：
（2）W25Q128JVSIQ对应我司SOP8测试座：
（3）W29N01HVSINA对应我司TSOP48测试座：
TSOP48还可以直接配合我司提供的flash测试方案板进行测试：
除上诉产品之外我司对于flash测试方案已经配套测试座还有SM2246EN、SM2256K、SM2258H、AU6989、SM2258XT、SM2259XT等测试方案板和配套的BGA132\152、BGA272、BGA316测试座。
存储器分为两大类：RAM和ROM，这次主要讨论ROM。
ROM最初是不能编程的，出厂什么内容就永远什么内容，不灵活。后来出现了PROM，可以自己写入一次，要是写错了，只能换一片，自认倒霉。人类文明不断进步，终于出现了可多次擦除写入的EPROM，每次擦除要把芯片拿到紫外线上照一下，想一下你往单片机上下了一个程序之后发现有个地方需要加一句话，为此你要把单片机放紫外灯下照半小时，然后才能再下一次，这么折腾一天也改不了几次。历史的车轮不断前进，伟大的EEPROM出现了，拯救了一大批程序员，终于可以随意的修改ROM中的内容了。EEPROM的全称是“电可擦除可编程只读存储器”，即Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory。是相对于紫外擦除的ROM来讲的。但是今天已经存在多种EEPROM的变种，变成了一类存储器的统称。狭义的EEPROM：
这种ROM的特点是可以随机访问和修改任何一个字节，可以往每个bit中写入0或者1。这是最传统的一种EEPROM，掉电后数据不丢失，可以保存100年，可以擦写100w次。具有较高的可靠性，但是电路复杂/成本也高。因此目前的EEPROM都是几十千字节到几百千字节的，绝少有超过512K的。例如我们常见的24C02：
广义的EEPROM：
FLASH属于广义的EEPROM，因为它也是电擦除的ROM。但是为了区别于一般的按字节为单位的擦写的EEPROM，我们都叫它flash。
flash做的改进就是擦除时不再以字节为单位，而是以块为单位，一次简化了电路，数据密度更高，降低了成本。上M的rom一般都是flash。如W25Q128JVSIQ：
flash分为nor flash和nand flash。
nor flash：
nor flash数据线和地址线分开，可以实现ram一样的随机寻址功能，可以读取任何一个字节。但是擦除仍要按块来擦。依然W25Q128JVSIQnand flash：
nand flash同样是按块擦除，但是数据线和地址线复用，不能利用地址线随机寻址。读取只能按页来读取。（nandflash按块来擦除，按页来读，nor flash没有页），例如：W29N01HVSINA
由于nand flash引脚上复用，因此读取速度比nor flash慢一点，但是擦除和写入速度比nor flash快很多。nand flash内部电路更简单，因此数据密度大，体积小，成本也低。因此大容量的flash都是nand型的。小容量的2～12M的flash多是nor型的。
使用寿命上，nand flash的擦除次数是nor的数倍。而且nand flash可以标记坏块，从而使软件跳过坏块。nor flash 一旦损坏便无法再用。
因为nor flash可以进行字节寻址，所以程序可以在nor flash中运行。嵌入式系统多用一个小容量的nor flash存储引导代码，用一个大容量的nand flash存放文件系统和内核。
我司专业生产IC测试座，提供各种flash测试座，实现免焊接擦除flash以及测试flash坏环。列如上面所提到的24C02、W25Q128JVSIQ、W29N01HVSINA三款封装的IC相对应我司DIP8-2.54、SOP8-1.27、TSOP48-0.5三种款IC测试座，实物图如下图所示：
（1）24C02对应我司DIP8测试座：
（2）W25Q128JVSIQ对应我司SOP8测试座：
（3）W29N01HVSINA对应我司TSOP48测试座：
TSOP48还可以直接配合我司提供的flash测试方案板进行测试：
除上诉产品之外我司对于flash测试方案已经配套测试座还有SM2246EN、SM2256K、SM2258H、AU6989、SM2258XT、SM2259XT等测试方案板和配套的BGA132\152、BGA272、BGA316测试座。
