芯片是电子工业的粮食☆+484企612鹅429，是所《写卡器》有《卡口采集》信息《四厘米》产业《黑P/O/S》的基础。芯片技术包括芯片制造技术与设计技术，主要体现在芯片加工设备，加工工艺，封装测试，批量生产及设计创新的能力上。那么我国芯片的技术在环节上能力如何，ZG芯片技术现状到底是怎样的呢？下面我们一一为您解答。
芯片技术是如何向前发展的
摩尔定律
人人都听说过摩尔定律，当价格不变时，集成电路上可容纳的元器件的数目，约每隔18-24个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。有一段时间，人们说摩尔定律失效了，英特尔自己都做不到了，也有人说实际上IC行业发展比摩尔定律更快了。不论如何，半导体企业一直投入巨资研究新的制程工艺，其标志就是集成的半导体元件的线宽。每一次制程工艺的进步，都带来更小的线宽，更小的功耗，更高的工作频率，能够集成更多的元件，有更强的性能。说此前芯片技术就是按摩尔定律向前发展的，也很合理。
线宽
注意，1毫米=1000微米=1000000纳米，一千倍的关系。从我对半导体行业有印象的时候开始，半导体行业Z先进的制程工艺从几十微米到几微米，再到几百纳米, 130纳米，65纳米，45纳米，28纳米，20纳米，16纳米，14纳米，10纳米，直到今年三星就要量产的7纳米， (中间可能还有个别其它的线宽)。每隔两三年就更新一代， 但是基于这些线宽，各个厂家仍然有不同的工艺技术。
晶圆(Wafer)
晶圆是圆柱形的单晶硅切割成的圆形硅薄片，所有的IC都是在晶圆上加工而成的，晶圆越大，能在晶圆上制造的IC就越多，成本就越低。所以在半导体行业发展的近几十年里，晶圆的尺寸不断加大，从4英寸、6英寸、8英寸发展到现在的主流12英寸，未来会有更大的晶圆。原理上讲，用多少纳米线宽的制程工艺和晶圆的尺寸没有必然的联系，7纳米也可以用4英寸晶圆，但实际上IC工厂通常会采用那个时代Z大的晶圆来降低成本。
投资和行业
摩尔定律只告诉你了IC工艺如何进步，但没告诉你建造IC工厂的投资如何增长。实际上每一代制程工艺的进步，新建工厂所需投资都大幅度增长。从70年代的几千万美元，到几亿美元，十几亿美元，几十亿美元，上百亿美元，而Z近三星，英特尔和台积电投资的7纳米生产厂，投资额都已经超过二百亿美元。
ZG的集成电路芯片行业水平：
芯片技术，为什么只有ZG有可能后来居上
芯片工厂天价的建设成本让小国或者新进入IC行业的国家，已经没有经济实力追求Z先进的制程工艺了。台湾和韩国都是举政府之力全力支持，并且从几十年前IC工厂所需投资还没那么大的时候就进入行业，经过以厂养厂的良性循环，利用旧工厂的高利润才能撑得起对新厂房的投入。而投入稍微不足，便一步落后步步落后，如今欧洲和日本的IC企业都已经无力再追寻Z先进的制程工艺了。
全世界Z先进的IC制程工艺只掌握在三家公司手中：三星，台积电，英特尔。而目前唯yi有可能赶上来的，就是ZG。
当前”ZG芯“水平在世界上处于什么位置
Z近十年左右ZG的经济实力才开始爆发性增长的。由于IC FAB工厂所需投资额巨大，十几年前ZG实际上没有多少钱投入，水平落后是必然的。再加上科研体制的问题，早期有一帮公司靠打磨进口芯片冒充自己的产品，造成了极其恶劣的影响，首当其冲的就是“汉芯”，以至于网上一有新闻说ZG什么芯片获得突破，立即有人蹦出来说：是打磨掉人家的标打上自己的标的吧? 这种情况直到近些年才有所改观。
首先看IC制造FAB企业的水平：ZG目前(2018年初)Z先进的IC制程工艺是中芯国际和厦门联芯的28纳米制程。厦门联芯的28纳米良品率已经超过95%，而中芯国际的28纳米良品率还不高，实际上对这一工艺还没完全搞利索。而中芯国际已经把14纳米制程作为研发ZD，争取在2019年底之前量产。另外台积电在南京投资的16纳米工厂，目标是2018年底量产。
那么世界Z先进水平呢？上周刚刚爆出的消息，三星的7纳米制程刚刚量产成功，而且是应用了ASMLZ先进的EUV光刻机完成的。而台积电没有使用EUV光刻机的7纳米工艺要到今年底才能量产，英特尔会更晚些。使用EUV光刻机未来可升级到更先进的5纳米制程。
这样看来，ZG的芯片制程技术比世界Z先进水平落后两代以上，时间上落后三年多(台积电和三星的14/16纳米制程工艺都是在2015年开始量产的)。这实际上就是美国对ZG大陆IC制造设备的禁运目标。
ZG芯片技术落后的根本原因
IC制造设备种类非常多，价格都非常昂贵，其中Z重要的是光刻机。光刻机的生产厂家并不多，在28纳米以上线宽的时代，日本的佳能和尼康都能制造(对，就是造单反相机的那个佳能和尼康)，但是IC制程工艺进步到十几纳米以下时，佳能和尼康就落后了，基本退出了光刻机市场。
目前，世界上唯yi的光刻机厂家就剩下ASML。ASML是荷兰飞利浦公司的半导体部门拆分出来的独立公司(飞利浦半导体部门拆分出的另一家公司是NXP恩智浦，Z近美国高通公司要收购NXP，需要得到ZG政府的批准，赶上美帝对中兴禁运，那么，就拭目以待吧)。ASML的主要股东是飞利浦，但三星，台积电和英特尔都占有股份。去年底, ASML的ZG区销售总监对媒体说，ASMLZ先进的EUV光刻机对ZG没有禁运。但是美国政府又的确有禁运的指示。
那么,到底禁运不禁运？这个问题得这么看： ASML每年光刻机的产量只有不多的几十台,每台卖一亿多美元，只能优先供应它的主要股东。对，就那三个Z先进的IC厂家：三星、台积电、英特尔，ZG企业如果订货得排在后面等，交货期将近两年，交货后生产线调试，工艺调整还要一年左右，加到一起，从下订单到量产要至少三年。这样通过正常的商业逻辑和流程，就能达到美国政府制定的，让ZG落后于Z先进IC工艺至少三年的目标。那美国政府何必要蹦出来说禁运呢?
但是在这里必须说明，ZGIC制程落后的Z主要原因，并不是买不到光刻机，或者是光刻机到货太晚。Z主要的原因在于没有足够的人才和技术！现状就是，即使把所有Z先进的生产设备都马上交给ZGIC制造企业，ZGIC企业在三年内也没有能力量产Z先进的IC制程。事实上中芯国际目前就有14纳米制程的全套设备，而他们的28纳米制程都没整利索。重要的事情说三遍：Z大的瓶颈在于缺乏技术和人才，人才和技术！！！。
IC芯片生产工艺异常复杂，是人类目前生产的Z复杂的产品，没有之一，有了Z先进的生产设备，就比如给了我Z 高 级的画笔和颜料，我仍然画不出一幅能看的画来，因为我根本不会画画，不知道怎么落笔，怎么钩线，怎么涂色。用IC生产设备生产IC，需要经过大量的工艺研发，需要知道用什么材料，制作成什么形状，怎么布局，等等，才能保证良品率。而ZG懂这些技术的人才太少太少。ZG自己的大学微电子专业离业界先进水平太远，培养出的合格工程师太少。这也解释了，为什么ZG的IC制造企业大量高薪挖台湾日本韩国的IC制造人才。指望买到Z先进的生产设备，让ZG芯片技术短时间就赶上世界Z先进水平是不现实的。技术的积累和人才的培养都需要很长时间。
ZG芯片技术想追赶，今后五年很关键
也许未来5年左右是个弯道超车的机会，但要看运气。原因在于，新一代制程工艺对于半导体线宽的缩小不是无限制的。业界普遍认为，以目前的工艺技术，到了3纳米以下的时候，电子在半导体内的流动就不是按照我们所理解的理论来走了，而是会遇到神秘的量子效应，当前的工艺技术就失效了。各大lingxian企业都投入巨资研发全新的工艺和技术，试图突破这一限制，媒体上经常能见到某某公司又有什么突破。但到目前为止，还见不到实用的技术突破。所以，也许，在5年之内，各lingxian企业都会停滞在3纳米制程附近，正是ZG赶上来的好机会。但是也有可能，未来5年真会有技术突破，那么lingxian企业还会继续领跑，ZG还得在后面苦苦追赶。
不过IC制程工艺未来有一个发展方向是实用的并且已经在闪存行业应用了：那就是向多层发展，3D堆叠。目前三星已经量产64层堆叠的NAND Flash芯片，正在开发96层堆叠的技术，ZG紫光刚刚量产32层堆叠的NAND Flash芯片，64层的计划到2019年才能量产。而除了闪存芯片之外的CPU类IC，目前都是平面的一层，未来肯定会向多层发展，能够成多倍地提高IC的集成度。这种技术也是ZG企业需要突破的。
但是，除了对速度和功耗有ji致要求的【图片】
芯片技术是如何向前发展的
摩尔定律
人人都听说过摩尔定律，当价格不变时，集成电路上可容纳的元器件的数目，约每隔18-24个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。有一段时间，人们说摩尔定律失效了，英特尔自己都做不到了，也有人说实际上IC行业发展比摩尔定律更快了。不论如何，半导体企业一直投入巨资研究新的制程工艺，其标志就是集成的半导体元件的线宽。每一次制程工艺的进步，都带来更小的线宽，更小的功耗，更高的工作频率，能够集成更多的元件，有更强的性能。说此前芯片技术就是按摩尔定律向前发展的，也很合理。
线宽
注意，1毫米=1000微米=1000000纳米，一千倍的关系。从我对半导体行业有印象的时候开始，半导体行业Z先进的制程工艺从几十微米到几微米，再到几百纳米, 130纳米，65纳米，45纳米，28纳米，20纳米，16纳米，14纳米，10纳米，直到今年三星就要量产的7纳米， (中间可能还有个别其它的线宽)。每隔两三年就更新一代， 但是基于这些线宽，各个厂家仍然有不同的工艺技术。
晶圆(Wafer)
晶圆是圆柱形的单晶硅切割成的圆形硅薄片，所有的IC都是在晶圆上加工而成的，晶圆越大，能在晶圆上制造的IC就越多，成本就越低。所以在半导体行业发展的近几十年里，晶圆的尺寸不断加大，从4英寸、6英寸、8英寸发展到现在的主流12英寸，未来会有更大的晶圆。原理上讲，用多少纳米线宽的制程工艺和晶圆的尺寸没有必然的联系，7纳米也可以用4英寸晶圆，但实际上IC工厂通常会采用那个时代Z大的晶圆来降低成本。
投资和行业
摩尔定律只告诉你了IC工艺如何进步，但没告诉你建造IC工厂的投资如何增长。实际上每一代制程工艺的进步，新建工厂所需投资都大幅度增长。从70年代的几千万美元，到几亿美元，十几亿美元，几十亿美元，上百亿美元，而Z近三星，英特尔和台积电投资的7纳米生产厂，投资额都已经超过二百亿美元。
ZG的集成电路芯片行业水平：
芯片技术，为什么只有ZG有可能后来居上
芯片工厂天价的建设成本让小国或者新进入IC行业的国家，已经没有经济实力追求Z先进的制程工艺了。台湾和韩国都是举政府之力全力支持，并且从几十年前IC工厂所需投资还没那么大的时候就进入行业，经过以厂养厂的良性循环，利用旧工厂的高利润才能撑得起对新厂房的投入。而投入稍微不足，便一步落后步步落后，如今欧洲和日本的IC企业都已经无力再追寻Z先进的制程工艺了。
全世界Z先进的IC制程工艺只掌握在三家公司手中：三星，台积电，英特尔。而目前唯yi有可能赶上来的，就是ZG。
当前”ZG芯“水平在世界上处于什么位置
Z近十年左右ZG的经济实力才开始爆发性增长的。由于IC FAB工厂所需投资额巨大，十几年前ZG实际上没有多少钱投入，水平落后是必然的。再加上科研体制的问题，早期有一帮公司靠打磨进口芯片冒充自己的产品，造成了极其恶劣的影响，首当其冲的就是“汉芯”，以至于网上一有新闻说ZG什么芯片获得突破，立即有人蹦出来说：是打磨掉人家的标打上自己的标的吧? 这种情况直到近些年才有所改观。
首先看IC制造FAB企业的水平：ZG目前(2018年初)Z先进的IC制程工艺是中芯国际和厦门联芯的28纳米制程。厦门联芯的28纳米良品率已经超过95%，而中芯国际的28纳米良品率还不高，实际上对这一工艺还没完全搞利索。而中芯国际已经把14纳米制程作为研发ZD，争取在2019年底之前量产。另外台积电在南京投资的16纳米工厂，目标是2018年底量产。
那么世界Z先进水平呢？上周刚刚爆出的消息，三星的7纳米制程刚刚量产成功，而且是应用了ASMLZ先进的EUV光刻机完成的。而台积电没有使用EUV光刻机的7纳米工艺要到今年底才能量产，英特尔会更晚些。使用EUV光刻机未来可升级到更先进的5纳米制程。
这样看来，ZG的芯片制程技术比世界Z先进水平落后两代以上，时间上落后三年多(台积电和三星的14/16纳米制程工艺都是在2015年开始量产的)。这实际上就是美国对ZG大陆IC制造设备的禁运目标。
ZG芯片技术落后的根本原因
IC制造设备种类非常多，价格都非常昂贵，其中Z重要的是光刻机。光刻机的生产厂家并不多，在28纳米以上线宽的时代，日本的佳能和尼康都能制造(对，就是造单反相机的那个佳能和尼康)，但是IC制程工艺进步到十几纳米以下时，佳能和尼康就落后了，基本退出了光刻机市场。
目前，世界上唯yi的光刻机厂家就剩下ASML。ASML是荷兰飞利浦公司的半导体部门拆分出来的独立公司(飞利浦半导体部门拆分出的另一家公司是NXP恩智浦，Z近美国高通公司要收购NXP，需要得到ZG政府的批准，赶上美帝对中兴禁运，那么，就拭目以待吧)。ASML的主要股东是飞利浦，但三星，台积电和英特尔都占有股份。去年底, ASML的ZG区销售总监对媒体说，ASMLZ先进的EUV光刻机对ZG没有禁运。但是美国政府又的确有禁运的指示。
那么,到底禁运不禁运？这个问题得这么看： ASML每年光刻机的产量只有不多的几十台,每台卖一亿多美元，只能优先供应它的主要股东。对，就那三个Z先进的IC厂家：三星、台积电、英特尔，ZG企业如果订货得排在后面等，交货期将近两年，交货后生产线调试，工艺调整还要一年左右，加到一起，从下订单到量产要至少三年。这样通过正常的商业逻辑和流程，就能达到美国政府制定的，让ZG落后于Z先进IC工艺至少三年的目标。那美国政府何必要蹦出来说禁运呢?
但是在这里必须说明，ZGIC制程落后的Z主要原因，并不是买不到光刻机，或者是光刻机到货太晚。Z主要的原因在于没有足够的人才和技术！现状就是，即使把所有Z先进的生产设备都马上交给ZGIC制造企业，ZGIC企业在三年内也没有能力量产Z先进的IC制程。事实上中芯国际目前就有14纳米制程的全套设备，而他们的28纳米制程都没整利索。重要的事情说三遍：Z大的瓶颈在于缺乏技术和人才，人才和技术！！！。
IC芯片生产工艺异常复杂，是人类目前生产的Z复杂的产品，没有之一，有了Z先进的生产设备，就比如给了我Z 高 级的画笔和颜料，我仍然画不出一幅能看的画来，因为我根本不会画画，不知道怎么落笔，怎么钩线，怎么涂色。用IC生产设备生产IC，需要经过大量的工艺研发，需要知道用什么材料，制作成什么形状，怎么布局，等等，才能保证良品率。而ZG懂这些技术的人才太少太少。ZG自己的大学微电子专业离业界先进水平太远，培养出的合格工程师太少。这也解释了，为什么ZG的IC制造企业大量高薪挖台湾日本韩国的IC制造人才。指望买到Z先进的生产设备，让ZG芯片技术短时间就赶上世界Z先进水平是不现实的。技术的积累和人才的培养都需要很长时间。
ZG芯片技术想追赶，今后五年很关键
也许未来5年左右是个弯道超车的机会，但要看运气。原因在于，新一代制程工艺对于半导体线宽的缩小不是无限制的。业界普遍认为，以目前的工艺技术，到了3纳米以下的时候，电子在半导体内的流动就不是按照我们所理解的理论来走了，而是会遇到神秘的量子效应，当前的工艺技术就失效了。各大lingxian企业都投入巨资研发全新的工艺和技术，试图突破这一限制，媒体上经常能见到某某公司又有什么突破。但到目前为止，还见不到实用的技术突破。所以，也许，在5年之内，各lingxian企业都会停滞在3纳米制程附近，正是ZG赶上来的好机会。但是也有可能，未来5年真会有技术突破，那么lingxian企业还会继续领跑，ZG还得在后面苦苦追赶。
不过IC制程工艺未来有一个发展方向是实用的并且已经在闪存行业应用了：那就是向多层发展，3D堆叠。目前三星已经量产64层堆叠的NAND Flash芯片，正在开发96层堆叠的技术，ZG紫光刚刚量产32层堆叠的NAND Flash芯片，64层的计划到2019年才能量产。而除了闪存芯片之外的CPU类IC，目前都是平面的一层，未来肯定会向多层发展，能够成多倍地提高IC的集成度。这种技术也是ZG企业需要突破的。
但是，除了对速度和功耗有ji致要求的【图片】
