光电效应分为外光电效应和内光电效应两大类,而内光电效应又可分为光电导效应和光生伏特效应。
所谓的外光电效应是指:在光的照射下,物体内的电子逸出物体表面而产生光电子发射的现象。根据外光电效应制成的器件有光电管,光电倍增管等。
而(半导体的)内光电效应是指:光照射在光敏材料上,材料中处于价带的电子吸收光子的能量后,通过禁带跃迁至导带,使导带内电子浓度和价带内空穴增多,即激发出电子空穴对,从而使半导体材料的电阻率发生变化或产生光生电动势的现象。
1.光电导效应。当入射光子射入到半导体表面时,半导体吸收入射的光子产生电子空穴对,使其自身电导率发生变化的现象(光敏电阻、光电二极管、光电三极管)。
2.光生伏特效应。光照射引起PN结两端产生电动势(光电池)。
红限频率:产生光电效应所需照射光的最低频率叫做红限频率(又称截止频率)。
逸出功:电子克服原子核的束缚,从材料表面逸出所需的最小能量,称为逸出功。
爱因斯坦光电效应方程:光子能量=移出一个电子所需的能量(逸出功)+被发射的电子的动能。其数学表达式为:Ek=hν-Wo(其中,Ek 表示逸出的光电子所具有的动能,普朗克常量h=6.626×10ˉ34 J·s,ν 表示入射光的频率,Wo表示逸出功 )。
所谓的外光电效应是指:在光的照射下,物体内的电子逸出物体表面而产生光电子发射的现象。根据外光电效应制成的器件有光电管,光电倍增管等。
而(半导体的)内光电效应是指:光照射在光敏材料上,材料中处于价带的电子吸收光子的能量后,通过禁带跃迁至导带,使导带内电子浓度和价带内空穴增多,即激发出电子空穴对,从而使半导体材料的电阻率发生变化或产生光生电动势的现象。
1.光电导效应。当入射光子射入到半导体表面时,半导体吸收入射的光子产生电子空穴对,使其自身电导率发生变化的现象(光敏电阻、光电二极管、光电三极管)。
2.光生伏特效应。光照射引起PN结两端产生电动势(光电池)。
红限频率:产生光电效应所需照射光的最低频率叫做红限频率(又称截止频率)。
逸出功:电子克服原子核的束缚,从材料表面逸出所需的最小能量,称为逸出功。
爱因斯坦光电效应方程:光子能量=移出一个电子所需的能量(逸出功)+被发射的电子的动能。其数学表达式为:Ek=hν-Wo(其中,Ek 表示逸出的光电子所具有的动能,普朗克常量h=6.626×10ˉ34 J·s,ν 表示入射光的频率,Wo表示逸出功 )。