明佳达供应东芝 SSM3K35CTC MOSFET N 沟道场效应晶体管 全新原装现货 有大量库存
型号:SSM3K35CTC
批号:1815+
封装:CST3C
规格
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 250mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.2V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 1.1 欧姆 @ 150mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 0.34 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 36 pF @ 10 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 500mW(Ta)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 CST3C
封装/外壳 SC-101,SOT-883
应用
开关稳压器
DC-DC转换器
型号:SSM3K35CTC
批号:1815+
封装:CST3C
规格
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 250mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.2V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 1.1 欧姆 @ 150mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 0.34 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 36 pF @ 10 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 500mW(Ta)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 CST3C
封装/外壳 SC-101,SOT-883
应用
开关稳压器
DC-DC转换器