明佳达供应东芝 SSM3K35CTC MOSFET N 沟道场效应晶体管 全新原装现货 有大量库存
型号：SSM3K35CTC
批号：1815+
封装：CST3C
规格
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 250mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.2V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 1.1 欧姆 @ 150mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 0.34 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值） ±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 36 pF @ 10 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 500mW（Ta）
工作温度 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 CST3C
封装/外壳 SC-101，SOT-883
应用
开关稳压器
DC-DC转换器
型号：SSM3K35CTC
批号：1815+
封装：CST3C
规格
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 250mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.2V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 1.1 欧姆 @ 150mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 0.34 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值） ±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 36 pF @ 10 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 500mW（Ta）
工作温度 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 CST3C
封装/外壳 SC-101，SOT-883
应用
开关稳压器
DC-DC转换器
