目前针对SiC-MOSFET功率模块封装领域；国内已有厂家开始尝试使用低温纳米银烧结材料来代替IGBT模块常用的双面冷却技术；纳米银低温烧结的特点是固化后；芯片和基板之间只剩下银粉材料；相比焊料；纳米银烧结具有更高的导热导电性能和稳定性；是当前第三代半导体封装领域非常有潜力的新粘接材料；我们可以提供日本进口低温烧结纳米银浆（最低温150度左右就可以进行烧结）；如果有从事SiC-MOSFET模块技术这块的朋友欢迎技术交流；另外针对MOS-FET器件封装这块；我们也可以提供日本进口的高TG点（特性值277度）高耐热（热分解温度特性值430度）环氧树脂封装材料；另外还可以提供DBC/DBA基板，技术交流企鹅号：1720136513