大家伙一块研究一下内存超频时序影响问题。

最近折腾了一下内存，研究了两三天，看了很多论坛和帖子，涉及知识面太复杂，大概有了一点初步的认识，但是关于一些地方有很大的疑问。

从我目前的学习来看，第一时序，cl值与trcd值较为好摸基本就是与频率和电压有很大关联，会报错蓝屏。但是trp与tras值较为难摸，值的范围比较大，并且怎么设置一般不会出现报错和蓝屏反馈，只能单从跑分数据去了解，但是这两个值对与跑分的影响又较小。

由于测试平台等各种不稳定因素导致分数具有浮动，很难去摸清实际的作用。

关于网上教程和讲解，具体也有一致的讲解，并且大部分教程只教如何去设置，没有理论支撑，很难去根据自身去达到最佳参数。

首先trp参数个人理解是在内存工作的第一部涉及到trp，就好像是告诉xxx还有16时钟你要进行预充电。这个参数对于性能影响较小。trp在cl与trcd前执行。

紧接着trcd执行，寻找需要工作坐标行。这个操作所需要的时间就是trcd。

找到行坐标后，cl执行将坐标列地址关联的数据进行读写，这个读写用到的时间就是cl值，对于内存读写具有直接影响。

trp和tras倒是也能理解大概啥意思，但是对于内存性能影响较小，有没有好的办法去验证最佳参数值。https://www.bilibili.com/read/cv11825095/?ivk_sa=1024320u参考的b站帖子。

北桥默认 你折腾个毛线