一、NTMFS4C09NT1G -- 表面贴装型 N 通道 30 V 9A（Ta） 760mW（Ta），25.5W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：9A（Ta）
功率耗散（最大值）：760mW（Ta），25.5W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
二、NTMFS4C028NT1G -- 表面贴装型 N 通道 30 V 16.4A（Ta），52A（Tc） 2.51W（Ta），25.5W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：16.4A（Ta），52A（Tc）
功率耗散（最大值）：2.51W（Ta），25.5W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
三、NTMFS4C029NT1G -- 表面贴装型 N 通道 30 V 15A（Ta），46A（Tc） 2.49W（Ta），23.6W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：15A（Ta），46A（Tc）
功率耗散（最大值）：2.49W（Ta），23.6W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
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