型号：IMW120R007M1HXKSA1 _ IMW120R007M1H
封装：PG-TO247-3
类型：碳化硅MOSFET单管
说明：通孔 N 通道 1200 V 225A（Tc） 750W（Tc） PG-TO247-3
FET 类型：N 通道
技术：SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）：1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：225A（Tc）
驱动电压（Rds On）：15V，18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻：9.9 毫欧 @ 108A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)：5.2V @ 47mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)：220 nC @ 18 V
Vgs：+20V，-5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)：9170 nF @ 25 V
功率耗散：750W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
供应商器件封装：PG-TO247-3

明佳达电子/星际金华 供求 IMW120R007M1HXKSA1 _ IMW120R007M1H 碳化硅MOSFET单管。