IMBF170R1K0M1XTMA1(IMBF170R1K0M1)N通道碳化硅晶体管
型号:IMBF170R1K0M1XTMA1(IMBF170R1K0M1)
FET 类型:N 通道
技术:SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss):1700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.2A(Tc)
驱动电压(Rds On,Rds On):12V,15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻:1000毫欧 @ 1A,15V
不同 Id 时 Vgs(th):5.7V @ 1.1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg):5 nC @ 12 V
Vgs:+20V,-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss):275 pF @ 1000 V
功率耗散:68W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:PG-TO263-7-13
封装/外壳:TO-263-8,D²Pak(7 引线+接片),TO-263CA
![](http://tiebapic.baidu.com/forum/w%3D580/sign=bdd109fa754e251fe2f7e4f09784c9c2/739126adcbef7609b7d3325f6bdda3cc7ed99ef8.jpg?tbpicau=2024-09-17-05_023bcb8f0d1885188b194b7edfae6567)
明佳达(星际金华)供求 IMBF170R1K0M1XTMA1(IMBF170R1K0M1),有兴趣的朋友,欢迎随时联络我们!
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FET 类型:N 通道
技术:SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss):1700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.2A(Tc)
驱动电压(Rds On,Rds On):12V,15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻:1000毫欧 @ 1A,15V
不同 Id 时 Vgs(th):5.7V @ 1.1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg):5 nC @ 12 V
Vgs:+20V,-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss):275 pF @ 1000 V
功率耗散:68W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:PG-TO263-7-13
封装/外壳:TO-263-8,D²Pak(7 引线+接片),TO-263CA
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