IMBF170R1K0M1XTMA1（IMBF170R1K0M1）N通道碳化硅晶体管
型号：IMBF170R1K0M1XTMA1（IMBF170R1K0M1）
FET 类型：N 通道
技术：SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）：1700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5.2A（Tc）
驱动电压（Rds On，Rds On）：12V，15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻：1000毫欧 @ 1A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)：5.7V @ 1.1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)：5 nC @ 12 V
Vgs：+20V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)：275 pF @ 1000 V
功率耗散：68W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：PG-TO263-7-13
封装/外壳：TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA
明佳达（星际金华）供求 IMBF170R1K0M1XTMA1（IMBF170R1K0M1），有兴趣的朋友，欢迎随时联络我们！
型号：IMBF170R1K0M1XTMA1（IMBF170R1K0M1）
FET 类型：N 通道
技术：SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）：1700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5.2A（Tc）
驱动电压（Rds On，Rds On）：12V，15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻：1000毫欧 @ 1A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)：5.7V @ 1.1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)：5 nC @ 12 V
Vgs：+20V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)：275 pF @ 1000 V
功率耗散：68W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：PG-TO263-7-13
封装/外壳：TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA
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