型号：NTMFS4C810NAT3G，NTMFS4C810NAT1G
封装：5-DFN（5x6）（8-SOFL）
类型：单 FET，MOSFET（N 通道MOS管）
说明：表面贴装型 N 通道 30 V 8.2A（Ta），46A（Tc） 750mW（Ta），23.6W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
深圳市明佳达电子，星际金华（供应）NTMFS4C810NAT3G，NTMFS4C810NAT1G。
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出现货：NTMFS4C810NAT3G（8-PowerTDFN，5 引线）NTMFS4C810NAT1G
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：8.2A（Ta），46A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：5.88 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：18.6 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：987 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）：750mW（Ta），23.6W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳：8-PowerTDFN，5 引线