2002年12月至今，在国际自然基金委、“十五”期间科技部重大项目、“十一五”——“十三五”国家重大专项资助下，她带领团队率先利用光刻仿真软件PROPLITH，研究分析光刻机性能参数、掩模结构及参数、工艺参数对光刻成像性能的影响，为光刻机研制企业提供研究分析数据。率先建立了NA1.35浸没光刻机全光路、非傍轴近似、非远心、含3D偏振像差的严格矢量成像理论和仿真软件，实现更高精度的正向光刻仿真分析；同时，率先建立的严格矢量计算光刻、全曝光视场-低误差敏感度-多目标计算光刻、压缩感知快速计算光刻、高保真-贝叶斯压缩感知、全芯片-快速计算光刻技术等多种先进、快速、高保真、自适应计算光刻等分辨率增增强技术。面向未来9-1nm节点IC制造EUV光刻机发展的趋势和需求，建立了EUV光刻物镜的分组设计与优化等方法，设计了缩小倍率4、5和8，及数值孔径NA0.25、0.3、0.33、0.4、0.5、0.55、0.6和0.7的四反、六反、八反、十反一系列结构的非球面和自由曲面、共轴或离轴的EUVL物镜及其相匹配的照明系统，并对多层膜与物镜进行协同光学设计研究，获得高分辨、反射率均匀的EUV光刻成像设计结果；同时也对部分物镜系统进行了热变形分析与像差补偿设计、可制造性约束及其性能分析，设计了多种结构的一系列物镜及与之匹配的照明系统。其中NA0.33 EUV曝光系统，能够满足22～13nm光刻技术节点设计性能的需求。同时也较早地开展了NA0.33 EUV 计算光刻研究。2016年春季率先设计并发表NA0.5-0.6变倍率EUV物镜，2017年，首次发表了NA0.5-0.6变倍率物镜需要的EUV光刻机照明系统设计，可在掩模面实现95%~98%的照明均匀性；同时对高NA大口径曝光系统需要的高性能多层反射膜进行了创新型设计，并申请了多项专利保护。
肯定在搞，到什么程度了就不知道拉。

倒数第八个字为什么是繁体？

好文章

物镜能否用詹姆斯韦伯望远镜的原理提高NA

这个不着急，台积电最快也得在今年下半年才能得到这个所谓的 高NA EUV光刻机，最快也得在2025年底才能用这种光刻机生产2nm芯片上市。台积电自己的报告称“预计于2026年下半年量产的A16（1.6nm）制程”，到时候也许中国的华为先把2nm以下的芯片投向市场也不一定呢！

如果台积电到2026年底才能向市场推出1.6nm芯片，那么肯定会被华为超过的，因为华为代表着中国速度。哦耶！！