IKW40N65WR5是TRENCHSTOP™ 5 WR5反向导通IGBT是特殊反向导通IGBT系列器件，针对通常在焊接逆变器应用中的完全额定硬切换关断进行了优化。这些IGBT以具有吸引力的价格提供良好性能。WR5 IGBT具有出色的性价比，建议用于焊接中的交流-直流PFC级、UPS和太阳能应用。
型号：IKW40N65WR5
年份：新批次
产品种类： IGBT 晶体管
系列：TRENCHSTOP 5 WR5
技术：Si
封装：TO-247-3
安装风格：Through Hole
配置：Single
集电极—发射极最大电压 VCEO：650 V
集电极—射极饱和电压：1.4 V
栅极/发射极最大电压： - 20 V, + 20 V
在25 C的连续集电极电流：80 A
Pd-功率耗散：230 W
最小工作温度： - 40 C
最大工作温度： + 175 C
栅极—射极漏泄电流： 100 nA
工厂包装数量：240
应用：
焊接
功率因数校正 (PFC)
ZCS - 转换器
IPA50R280CE CoolMOS™ CE 功率 MOSFET 是一个高压功率 MOSFET 技术平台，它根据超级结原理（SJ）进行设计，满足客户要求。
CoolMOS™ CE 产品系列包括 500V、600V 和 650V 器件，适用于移动设备和电动工具的低功率充电器、笔记本电脑的适配器、LCD、LED 电视 和 LED 照明。全新系列的 CoolMOS™ 成本经优化可满足消费者的典型要求，不牺牲 CoolMOS™ 的高品质和可靠性，同时价格仍有足够吸引力。
型号:IPA50R280CE
系列: CoolMOS CE
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220FP-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 500 V
Id-连续漏极电流: 13 A
Rds On-漏源导通电阻: 280 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Qg-栅极电荷: 32.6 nC
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 30 W
配置: Single
高度: 16.15 mm
长度: 10.65 mm
工厂包装数量: 500
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.85 mm
应用: CoolMOS™ CE - 照明应用
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