QH8MA4TCR：MOSFET - 阵列 30V 9A，8A 1.5W 表面贴装型 TSMT8
配置：N 和 P 沟道
漏源电压（Vdss）：30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：9A，8A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：16 毫欧 @ 9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：15.5nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：640pF @ 15V
功率 - 最大值：1.5W
工作温度：150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：8-SMD，扁平引线
供应商器件封装：TSMT8
QH8MA4TCR特征：
低导通电阻
小型表面贴装封装（TSMT8）
无铅镀层；符合RoHS标准
30V N 和 P 沟道 小信号 MOSFET
（晶体管）QH8MA4TCR（N和P通道）MOSFET阵列，8-SMD
型号：QH8MA4TCR
封装：8-SMD
类型：30V N和P通道MOSFET阵列 - 晶体管
深圳市明佳达电子，星际金华（长期供应）原装库存器件，价格方面由于浮动不一，请以当天询问为准！