NVMFS5C430NAFT1G：40V、185A、1.7mΩ 单 N通道功率 MOSFET 晶体管
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：40 V
功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），106W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳：8-PowerTDFN，5 引线
NTMFS5C604NLT1G：表面贴装型 N通道 晶体管 60V 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：60V
驱动电压（Rds On）：4.5V，10V
功率耗散：3.9W（Ta），200W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳：8-PowerTDFN，5 引线
[晶体管] NVMFS5C430NAFT1G，NTMFS5C604NLT1G（N通道，MOSFET）
型号：NVMFS5C430NAFT1G，NTMFS5C604NLT1G（供求）
封装：8-PowerTDFN，5 引线
类型：晶体管
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