新设备：300mm大批量立式炉VF-5700；制造商：日本制造商
简介：Si-IGBT用的数+µ厚晶片也能放心搬运的装置阵容。低温控制性优异，可对应背面电极退火、聚酰亚胺固化等。
特点：小批量、25～50片统一处理，灵活处理能力，搭载可高速升温的高功率加热器，提高吞吐量，单片高速晶片搬运，搭载操作人员友好的高功能控制系统。
规格：Φ150mm、Φ在200mm下有很多实绩的面向Si-IGBT的背面电极退火、聚酰亚胺固化Φ300mm也可以对应。
本体尺寸（mm）：1100（W）×2000(D)×2950(H)
加热器：LGO加热器
均热长度（mm）：500
晶片尺寸（mm）：Φ300
一处理张数：50张
I/O端口：2
晶片搬运：单片
可选：N2负载锁定、强制冷却系统、5片一揽子+片（晶片搬运）均热长度750mm（最大处理张数75张）、舟皿旋转机构、主机通信
处理：氧化、扩散、LP-CVD处理、退火等
处理品：Si
信息来源：丰港半导体