一、培训背景：
在半导体工业中，流片成本较高且费时，使用TCAD半导体器件建模仿真软件能够模拟不同工艺条件和不同器件结构的性能，从而减少流片次数和缩短研发周期。Sentaurus TCAD是用于模拟半导体器件和工艺的工具之一，可以帮助工程师设计电路元件，优化半导体工艺和器件性能。主要功能包括：半导体器件建模（用于建立各种半导体器件的物理模型工艺模拟）、半导体器件的制造工艺模拟（以了解工艺参数如何影响器件性能）、电子结构计算、 电热仿真、光学模拟、耦合分析等。为解决大家在Sentaurus TCAD仿真学习过程中遇到的问题，特举办“TCAD半导体器件建模仿真分析与应用”专题线上培训班，本次培训主办方为北京软研国际信息技术研究院，承办方互动派（北京）教育科技有限公司，会议会务合作单位为北京中科四方生物科技有限公司，具体相关事宜通知如下：
二、培训特色：
1. 本次课程共3天，采用线上实训、课后提供无限次回放视频，发送全部案例模型文件，建立永不解散的课程群，在班级群内可以和相同领域内的老师同学互动交流问题。
2. 基础入门阶段采用Step by step的教学方式带着做具体的案例，在案例中学习TCAD应用必备技能，帮助学员快速掌握TCAD的仿真框架，建立正确的仿真思路。
3. 通过模块详解掌握各种边界条件和域条件的设置方法和技巧，掌握精确仿真半导体器件所需的网格划分标准及优化技巧，深入探索从模拟中获得的结果(如分析器件中的电磁场分布、电势分布、载流子密度、能带结构等)。
4. 应用 sentaurus tcad 进行多种器件的建立和简易电路仿真方法。
5. 借助 TCAD 仿真软件，从物理基础、器件模型、工艺过程、仿真建模与数据呈现等方面，进行系统性和原理性的讲解，使得学习者能够快速搭建起系统的知识框架，使设计满足当前和未来发展。
三、培训大纲：
“TCAD半导体器件建模仿真分析与应用”专题培训大纲
(一) 软件操作系统教学：
TCAD软件入门 TCAD软件基本操作：Ø 软件的安装与配置 Ø 半导体器件建模概述Ø 基于SDE的结构建模原理Ø 高效的网格划分
结构建模 二维MOSFET的建模与SWB基本原理及操作：Ø SDE图形化命令，Scheme语法，结构搭建，布尔运算等Ø 掺杂，接触定义以及网格划分Ø 工程化计算——在SWB中操作SDE工具Ø SWB输出文件类别和常见问题
数值求解 半导体器件数值求解：Ø 器件仿真中的物理模型（简述）Ø MOSFET静态特性求解/瞬态特性求解Ø 隧穿模型以及NLM计算隧穿电流Ø 碰撞电离与击穿特性仿真Ø 基于spice模型的简单电路仿真
SVISUAL对数据的处理：Ø 数据的可视化与导出Ø 阈值电压，SS，开关比等参数的提取Ø 电场、电势等其他量的可视化及参数提取
材料设置：Ø 模型参数修改与新材料建模Ø 二维材料,如MoS2等新型材料
网格设置：Ø 精确仿真电磁场所需的网格划分标准Ø 网格的优化Ø Math设置以及求解过程优化
工艺仿真 Ø 工艺仿真原理Ø 工艺仿真基础操作Ø 工艺仿真中的网格设置Ø 版图绘制基础Ø Sprocess结构生成（沉积、刻蚀等）
(二) 案列应用实操教学：
案例一 PN结的数值计算
案例二 传统硅基MOSFET的建模和求解
案例三 MoS2 FET 建模和求解2D材料fet仿真建模
案例四 Ga2O3 FET 建模和求解
案例五 隧穿晶体管的建模
案例六 利用课程案例实现反相器，环振的搭建与构造
案例七 基础的工艺仿真步骤操作
详情请看：网页链接
在半导体工业中，流片成本较高且费时，使用TCAD半导体器件建模仿真软件能够模拟不同工艺条件和不同器件结构的性能，从而减少流片次数和缩短研发周期。Sentaurus TCAD是用于模拟半导体器件和工艺的工具之一，可以帮助工程师设计电路元件，优化半导体工艺和器件性能。主要功能包括：半导体器件建模（用于建立各种半导体器件的物理模型工艺模拟）、半导体器件的制造工艺模拟（以了解工艺参数如何影响器件性能）、电子结构计算、 电热仿真、光学模拟、耦合分析等。为解决大家在Sentaurus TCAD仿真学习过程中遇到的问题，特举办“TCAD半导体器件建模仿真分析与应用”专题线上培训班，本次培训主办方为北京软研国际信息技术研究院，承办方互动派（北京）教育科技有限公司，会议会务合作单位为北京中科四方生物科技有限公司，具体相关事宜通知如下：
二、培训特色：
1. 本次课程共3天，采用线上实训、课后提供无限次回放视频，发送全部案例模型文件，建立永不解散的课程群，在班级群内可以和相同领域内的老师同学互动交流问题。
2. 基础入门阶段采用Step by step的教学方式带着做具体的案例，在案例中学习TCAD应用必备技能，帮助学员快速掌握TCAD的仿真框架，建立正确的仿真思路。
3. 通过模块详解掌握各种边界条件和域条件的设置方法和技巧，掌握精确仿真半导体器件所需的网格划分标准及优化技巧，深入探索从模拟中获得的结果(如分析器件中的电磁场分布、电势分布、载流子密度、能带结构等)。
4. 应用 sentaurus tcad 进行多种器件的建立和简易电路仿真方法。
5. 借助 TCAD 仿真软件，从物理基础、器件模型、工艺过程、仿真建模与数据呈现等方面，进行系统性和原理性的讲解，使得学习者能够快速搭建起系统的知识框架，使设计满足当前和未来发展。
三、培训大纲：
“TCAD半导体器件建模仿真分析与应用”专题培训大纲
(一) 软件操作系统教学：
TCAD软件入门 TCAD软件基本操作：Ø 软件的安装与配置 Ø 半导体器件建模概述Ø 基于SDE的结构建模原理Ø 高效的网格划分
结构建模 二维MOSFET的建模与SWB基本原理及操作：Ø SDE图形化命令，Scheme语法，结构搭建，布尔运算等Ø 掺杂，接触定义以及网格划分Ø 工程化计算——在SWB中操作SDE工具Ø SWB输出文件类别和常见问题
数值求解 半导体器件数值求解：Ø 器件仿真中的物理模型（简述）Ø MOSFET静态特性求解/瞬态特性求解Ø 隧穿模型以及NLM计算隧穿电流Ø 碰撞电离与击穿特性仿真Ø 基于spice模型的简单电路仿真
SVISUAL对数据的处理：Ø 数据的可视化与导出Ø 阈值电压，SS，开关比等参数的提取Ø 电场、电势等其他量的可视化及参数提取
材料设置：Ø 模型参数修改与新材料建模Ø 二维材料,如MoS2等新型材料
网格设置：Ø 精确仿真电磁场所需的网格划分标准Ø 网格的优化Ø Math设置以及求解过程优化
工艺仿真 Ø 工艺仿真原理Ø 工艺仿真基础操作Ø 工艺仿真中的网格设置Ø 版图绘制基础Ø Sprocess结构生成（沉积、刻蚀等）
(二) 案列应用实操教学：
案例一 PN结的数值计算
案例二 传统硅基MOSFET的建模和求解
案例三 MoS2 FET 建模和求解2D材料fet仿真建模
案例四 Ga2O3 FET 建模和求解
案例五 隧穿晶体管的建模
案例六 利用课程案例实现反相器，环振的搭建与构造
案例七 基础的工艺仿真步骤操作
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