在半导体工业中，流片成本较高且费时，使用TCAD半导体器件建模仿真软件能够模拟不同工艺条件和不同器件结构的性能，从而减少流片次数和缩短研发周期。Sentaurus TCAD是用于模拟半导体器件和工艺的工具之一，可以帮助工程师设计电路元件，优化半导体工艺和器件性能。主要功能包括：半导体器件建模（用于建立各种半导体器件的物理模型工艺模拟）、半导体器件的制造工艺模拟（以了解工艺参数如何影响器件性能）、电子结构计算、电热仿真、光学模拟、耦合分析等。为解决大家在Sentaurus TCAD仿真学习过程中遇到的问题，特举办“TCAD半导体器件建模仿真分析与应用”专题线上培训班，本次培训主办方为北京软研国际信息技术研究院，承办方互动派（北京）教育科技有限公司，会议会务合作单位为北京中科四方生物科技有限公司，具体相关事宜通知如下：
(一) 软件操作系统教学：
TCAD
软件入门TCAD软件基本操作：
➢软件的安装与配置
➢半导体器件建模概述
➢基于SDE的结构建模原理
➢高效的网格划分
结构建模二维MOSFET的建模与SWB基本原理及操作：
➢SDE图形化命令，Scheme语法，结构搭建，布尔运算等
➢掺杂，接触定义以及网格划分
➢工程化计算——在SWB中操作SDE工具
➢SWB输出文件类别和常见问题
数值求解半导体器件数值求解：
➢器件仿真中的物理模型（简述）
➢MOSFET静态特性求解/瞬态特性求解
➢隧穿模型以及NLM计算隧穿电流
➢碰撞电离与击穿特性仿真
➢基于spice模型的简单电路仿真
SVISUAL对数据的处理：
➢数据的可视化与导出
➢阈值电压，SS，开关比等参数的提取
➢电场、电势等其他量的可视化及参数提取
材料设置：
➢模型参数修改与新材料建模
➢二维材料,如MoS2等新型材料
网格设置：
➢精确仿真电磁场所需的网格划分标准
➢网格的优化
➢Math设置以及求解过程优化
工艺仿真➢工艺仿真原理
➢工艺仿真基础操作
➢工艺仿真中的网格设置
➢版图绘制基础
➢Sprocess结构生成（沉积、刻蚀等）
(二) 案列应用实操教学：
案例一PN结的数值计算
案例二传统硅基MOSFET的建模和求解
案例三MoS2 FET 建模和求解
2D材料fet仿真建模
案例四Ga2O3 FET 建模和求解
案例五隧穿晶体管的建模
案例六利用课程案例实现反相器，环振的搭建与构造
案例七基础的工艺仿真步骤操作
详情请看：网页链接
(一) 软件操作系统教学：
TCAD
软件入门TCAD软件基本操作：
➢软件的安装与配置
➢半导体器件建模概述
➢基于SDE的结构建模原理
➢高效的网格划分
结构建模二维MOSFET的建模与SWB基本原理及操作：
➢SDE图形化命令，Scheme语法，结构搭建，布尔运算等
➢掺杂，接触定义以及网格划分
➢工程化计算——在SWB中操作SDE工具
➢SWB输出文件类别和常见问题
数值求解半导体器件数值求解：
➢器件仿真中的物理模型（简述）
➢MOSFET静态特性求解/瞬态特性求解
➢隧穿模型以及NLM计算隧穿电流
➢碰撞电离与击穿特性仿真
➢基于spice模型的简单电路仿真
SVISUAL对数据的处理：
➢数据的可视化与导出
➢阈值电压，SS，开关比等参数的提取
➢电场、电势等其他量的可视化及参数提取
材料设置：
➢模型参数修改与新材料建模
➢二维材料,如MoS2等新型材料
网格设置：
➢精确仿真电磁场所需的网格划分标准
➢网格的优化
➢Math设置以及求解过程优化
工艺仿真➢工艺仿真原理
➢工艺仿真基础操作
➢工艺仿真中的网格设置
➢版图绘制基础
➢Sprocess结构生成（沉积、刻蚀等）
(二) 案列应用实操教学：
案例一PN结的数值计算
案例二传统硅基MOSFET的建模和求解
案例三MoS2 FET 建模和求解
2D材料fet仿真建模
案例四Ga2O3 FET 建模和求解
案例五隧穿晶体管的建模
案例六利用课程案例实现反相器，环振的搭建与构造
案例七基础的工艺仿真步骤操作
详情请看：网页链接
