高频介质损耗测试仪高精密高压电容电桥主要采用电流比较仪的原理,具有操作方便可靠、测量精度高、读数位数多、线性度好,不受环境湿度影响,仪器显示采用大屏幕TFT,可显示电容值 Cx、介损值tgδ、试验电压Upk/√2 、电感量Lx、品质因数Q、测试电流Ix、材料的介电常数ε、测试电源频率fx、视在功率S、有效功率P、无功功率Q等,它不仅能测电容器的电容量、介损量,还能测量电抗器的电感量和Q值及固体材料和液体材料的介质损耗和介电常数,还有前时钟的显示,是目前国内精度高、稳定性好、操作方便、用途广泛的高压电桥。它在测量上具有很高的比率精度和稳定性,这是一般西林电桥 、高压介损仪不能达到的。适宜于在高电压下测量电力电缆、高压套管、电力电容器、 电抗器、互感器等高压电力设备的电容量及损耗角正切值tgδ,以及各种固体或液体绝缘材料的介电常数(ε)及介损值tgδ,也可测量高压变压器或电压互感器的比差和角差。电桥可外接电流互感器以扩大量程,测量大的电力电容器时本电桥为四端测量具有引线补偿装置,使测量精度提高,消除接线电阻引起的附加误差。本介电测试仪还可测量电抗器的电感量及Q值。量程扩展器(供选购)能使主桥体的电容比从1000:1扩大到106:1。
![](http://tiebapic.baidu.com/forum/w%3D580/sign=a68789fbba039245a1b5e107b794a4a8/1b559feef01f3a2948bcaaf8df25bc315c607c95.jpg?tbpicau=2024-09-08-05_112c4c2f4be11c1c6021dd7719bbcb23)
高频介质损耗测试仪技术参数:
准确度: Cx:±(读数×0.5%+0.5pF);tgδ:±(读数×0.5%+0.00005);
电容量范围:内施高压:3pF~60000pF/10kV;60pF~1μF/0.5kV;外施高压:3pF~1.5μF/10kV;60pF~30μF/0.5kV;
分辨率:最高0.001pF,4位有效数字;
介电常数ε测试范围:0-200;
介电常数ε准确度:0.5%
介质损耗tgδ测试范围:不限,
介质损耗tgδ分辨率:0.000001,电容、电感、电阻三种试品自动识别。
试验电流范围:5μA~5A;
内施高压:设定电压范围:0.5~10kV ;
最大输出电流:200mA;
升降压方式:电压随意设置。比如5123V。
试验频率: 40-70Hz单频随意设置。比如48.7Hz.
频率精度:±0.01Hz
外施高压:接线时最大试验电流5A,工频或变频40-70Hz
环境温度:20±5℃
相对湿度:65±5%
高低压电极之间距离:0~5mm可调
百分表示值wu差:0.01mm
测量极直径:50mm(表面积490.00000000000006px2)
空极tgδ:≤3×10-5
最高测试电压:2000V
体积:Ф210mm H180mm
重量:6kg
介电损耗角正切
介电损耗角正切是指表征电介质材料在施加电场后介质损耗大小的物理量,以tanδ来表示,δ是介电损耗角。
定义:
介电损耗角正切又称介质损耗角正切,是指电介质在单位时间内每单位体积中,将电能转化为热能(以发热形式)而消耗的能量。表征电介质材料在施加电场后介质损耗大小的物理量,以tanδ来表示,δ是介电损耗角。
介质损耗角是在交变电场下,电介质内流过电流向量和电压向量之间的夹角 。
原理:
材料介电性能主要用介电常数ε和介电损耗角正切tanδ来表征,其中介电常数是综合反映电介质极化行为的宏观物理量。介电损耗角正切表征每个周期内介质损耗的能量与其贮存能量之比。
作用: 在实际工程应用中,介质损耗通常都是用介质损耗角的正切tanδ来表示的。用tanδ值来研究电介质损耗具有以下两个明显的优点:
(1)tanδ值可以和介电常数ε同时测量得到;
(2)tanδ值与测量样品的大小和形状都无关,是电介质自身的属性,并且在许多情况下,tanδ值比ε值对介质特性的改变敏感的多 。
用例:
高分子材料多系绝缘性好的材料,广泛的用于电子及电工行业。使用时不希望绝缘材料本身能量损耗大,因而测量出介质损耗因数就能评价材料的介质本身能量损耗。工业上多选用介质损耗因数小的高分子材料作为绝缘材料。通常极性橡胶的tanδ比非极性橡胶的大。它还与试验采用的频率、温度紧密相关。在一定温度下,只有在某一频率范围内,分子偶极取向虽可追随电场变化,但不全同步,有部分电能被吸收而发热,tanδ出现最大值。同样在一定频率下,惟有某一温度区域内tanδ才会出现极大值,当频率升高时,介质损耗峰移向高温端。
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高频介质损耗测试仪技术参数:
准确度: Cx:±(读数×0.5%+0.5pF);tgδ:±(读数×0.5%+0.00005);
电容量范围:内施高压:3pF~60000pF/10kV;60pF~1μF/0.5kV;外施高压:3pF~1.5μF/10kV;60pF~30μF/0.5kV;
分辨率:最高0.001pF,4位有效数字;
介电常数ε测试范围:0-200;
介电常数ε准确度:0.5%
介质损耗tgδ测试范围:不限,
介质损耗tgδ分辨率:0.000001,电容、电感、电阻三种试品自动识别。
试验电流范围:5μA~5A;
内施高压:设定电压范围:0.5~10kV ;
最大输出电流:200mA;
升降压方式:电压随意设置。比如5123V。
试验频率: 40-70Hz单频随意设置。比如48.7Hz.
频率精度:±0.01Hz
外施高压:接线时最大试验电流5A,工频或变频40-70Hz
环境温度:20±5℃
相对湿度:65±5%
高低压电极之间距离:0~5mm可调
百分表示值wu差:0.01mm
测量极直径:50mm(表面积490.00000000000006px2)
空极tgδ:≤3×10-5
最高测试电压:2000V
体积:Ф210mm H180mm
重量:6kg
介电损耗角正切
介电损耗角正切是指表征电介质材料在施加电场后介质损耗大小的物理量,以tanδ来表示,δ是介电损耗角。
定义:
介电损耗角正切又称介质损耗角正切,是指电介质在单位时间内每单位体积中,将电能转化为热能(以发热形式)而消耗的能量。表征电介质材料在施加电场后介质损耗大小的物理量,以tanδ来表示,δ是介电损耗角。
介质损耗角是在交变电场下,电介质内流过电流向量和电压向量之间的夹角 。
原理:
材料介电性能主要用介电常数ε和介电损耗角正切tanδ来表征,其中介电常数是综合反映电介质极化行为的宏观物理量。介电损耗角正切表征每个周期内介质损耗的能量与其贮存能量之比。
作用: 在实际工程应用中,介质损耗通常都是用介质损耗角的正切tanδ来表示的。用tanδ值来研究电介质损耗具有以下两个明显的优点:
(1)tanδ值可以和介电常数ε同时测量得到;
(2)tanδ值与测量样品的大小和形状都无关,是电介质自身的属性,并且在许多情况下,tanδ值比ε值对介质特性的改变敏感的多 。
用例:
高分子材料多系绝缘性好的材料,广泛的用于电子及电工行业。使用时不希望绝缘材料本身能量损耗大,因而测量出介质损耗因数就能评价材料的介质本身能量损耗。工业上多选用介质损耗因数小的高分子材料作为绝缘材料。通常极性橡胶的tanδ比非极性橡胶的大。它还与试验采用的频率、温度紧密相关。在一定温度下,只有在某一频率范围内,分子偶极取向虽可追随电场变化,但不全同步,有部分电能被吸收而发热,tanδ出现最大值。同样在一定频率下,惟有某一温度区域内tanδ才会出现极大值,当频率升高时,介质损耗峰移向高温端。