STL33N60DM2：N通道晶体管 600V 21A 表面贴装型
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：21A（Tc）
驱动电压：10V
功率耗散：150W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：8-PowerVDFN
星际金华（明佳达电子）供求原装库存器件：STL33N60DM2，IKW40N65ES5。
IKW40N65ES5：晶体管 IGBT 沟道 650V 79A 230W 通孔 PG-TO247-3
IGBT 类型：沟道
电压 - 集射极击穿：650 V
电流 - 集电极 (Ic)：79 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：160 A
功率：230 W
开关能量：860µJ（开），400µJ（关）
栅极电荷：95 nC
工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3