IKW75N60H3:IGBT 沟槽型场截止 600V 80A 428W 通孔
型号:IKW75N60H3
封装:TO-247-3
类型:IGBT晶体管
IKW75N60H3 是高速600V IGBT 晶体管,带反并联二极管,TO-247 封装。
产品属性:
IGBT 类型:沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):225 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,75A
功率 - 最大值:428 W
开关能量:3mJ(开),1.7mJ(关)
输入类型:标准
栅极电荷:470 nC
25°C 时 Td(开/关)值:31ns/265ns
反向恢复时间 (trr):190 ns
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-247-3
星际金华,明佳达供应,回收IKW75N60H3,STGWA75M65DF2。
STGWA75M65DF2:IGBT 沟槽型场截止 650V 120A 468W 通孔 TO-247 长引线
型号:STGWA75M65DF2
封装:TO-247-3
类型:IGBT晶体管
STGWA75M65DF2 是采用先进的专有沟槽栅场截止结构开发的 IGBT晶体管。该器件属于 M 系列 IGBT,650 V、75 A 低损耗,采用TO-247 长引线封装。
产品属性:
IGBT 类型:沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值):650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):120 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):225 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,75A
功率 - 最大值:468 W
开关能量:690µJ(开),2.54mJ(关)
输入类型:标准
栅极电荷:225 nC
25°C 时 Td(开/关)值:47ns/125ns
反向恢复时间 (trr):165 ns
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-247-3
供应商器件封装:TO-247 长引线
型号:IKW75N60H3
封装:TO-247-3
类型:IGBT晶体管
IKW75N60H3 是高速600V IGBT 晶体管,带反并联二极管,TO-247 封装。
产品属性:
IGBT 类型:沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):225 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,75A
功率 - 最大值:428 W
开关能量:3mJ(开),1.7mJ(关)
输入类型:标准
栅极电荷:470 nC
25°C 时 Td(开/关)值:31ns/265ns
反向恢复时间 (trr):190 ns
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-247-3
星际金华,明佳达供应,回收IKW75N60H3,STGWA75M65DF2。
STGWA75M65DF2:IGBT 沟槽型场截止 650V 120A 468W 通孔 TO-247 长引线
型号:STGWA75M65DF2
封装:TO-247-3
类型:IGBT晶体管
STGWA75M65DF2 是采用先进的专有沟槽栅场截止结构开发的 IGBT晶体管。该器件属于 M 系列 IGBT,650 V、75 A 低损耗,采用TO-247 长引线封装。
产品属性:
IGBT 类型:沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值):650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):120 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):225 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,75A
功率 - 最大值:468 W
开关能量:690µJ(开),2.54mJ(关)
输入类型:标准
栅极电荷:225 nC
25°C 时 Td(开/关)值:47ns/125ns
反向恢复时间 (trr):165 ns
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-247-3
供应商器件封装:TO-247 长引线