IKW75N60H3：IGBT 沟槽型场截止 600V 80A 428W 通孔
型号：IKW75N60H3
封装：TO-247-3
类型：IGBT晶体管
IKW75N60H3 是高速600V IGBT 晶体管，带反并联二极管，TO-247 封装。
产品属性：
IGBT 类型：沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）：600 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：80 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：225 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.3V @ 15V，75A
功率 - 最大值：428 W
开关能量：3mJ（开），1.7mJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：470 nC
25°C 时 Td（开/关）值：31ns/265ns
反向恢复时间 (trr)：190 ns
工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3
星际金华，明佳达供应，回收IKW75N60H3，STGWA75M65DF2。
STGWA75M65DF2：IGBT 沟槽型场截止 650V 120A 468W 通孔 TO-247 长引线
型号：STGWA75M65DF2
封装：TO-247-3
类型：IGBT晶体管
STGWA75M65DF2 是采用先进的专有沟槽栅场截止结构开发的 IGBT晶体管。该器件属于 M 系列 IGBT，650 V、75 A 低损耗，采用TO-247 长引线封装。
产品属性：
IGBT 类型：沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：120 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：225 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，75A
功率 - 最大值：468 W
开关能量：690µJ（开），2.54mJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：225 nC
25°C 时 Td（开/关）值：47ns/125ns
反向恢复时间 (trr)：165 ns
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3
供应商器件封装：TO-247 长引线