求助，Atlas仿真GaN垂直SBD击穿特性【silvaco吧】

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最基础的GaN垂直SBD，正向特性没问题。反向电压加到5000V了，击穿特性依然跑不出来，加上了碰撞电离模型，也针对电场集中区域做了网格优化。

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IP属地:陕西

1楼2024-03-28 14:23回复

最基础的GaN垂直SBD，正向特性没问题。反向电压加到5000V了，击穿特性依然跑不出来，加上了碰撞电离模型，也针对电场集中区域做了网格优化。【图片】这个设计我们可以，详细我们谈，联我请看账号

IP属地:广东

来自Android客户端2楼2024-03-28 15:08

加一，楼主后面解决了吗？

IP属地:江苏

3楼2024-12-05 00:39

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可以一起交流吗，我也是atlas仿真氮化镓的

IP属地:浙江

来自iPhone客户端4楼2025-01-09 00:16

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