NTBGS1D5N06C：60V 单N通道功率 MOSFET 晶体管，D2PAK-7
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：35A（Ta），267A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V，12V
功率耗散（最大值）：3.7W（Ta），211W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：TO-263-7，D2PAK
星际金华，明佳达供应，回收NTBGS1D5N06C【N 通道功率 MOSFET 晶体管】NTHL099N60S5
NTHL099N60S5：600V N 通道功率 MOSFET 晶体管，TO-247-3
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：33A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
功率耗散（最大值）：184W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3