IT之家 9 月 27 日消息，据《半导体行业观察》报道，新存科技 (武汉) 有限责任公司本月 23 日发布了其自主研发的国产首款最大容量新型 3D 存储器芯片 NM101。
NM101 基于新型材料电阻变化原理，采用先进工艺制程结合三维堆叠技术，在单颗芯片上集成了百亿级规模的非易失性存储器件，单芯片容量达 64Gb。
新存科技 NM1013D 存储器芯片支持随机读写，较市面已有大容量非易失性产品读写均提速 10 倍以上的同时寿命也增加了 5 倍，能大幅提升系统解决方案的性能。