明佳达，星际金华供求 MOSFET 晶体管：IMW65R072M1H，IMBG120R030M1H，IMBG120R350M1H
TO-247-3 封装 IMW65R072M1H N 沟道 650V 26A 通孔晶体管
产品描述
IMW65R072M1H 具有出色的硬换向稳健性，可用于谐振拓扑结构。
优点
适用于具有连续硬换向的拓扑结构
更高的鲁棒性和系统可靠性
TO-263-8 封装 IMBG120R030M1H 56A N 沟道单 MOSFET 晶体管
产品描述
IMBG120R030M1H 是一款 N 沟道 1200 V 56A (Tc) 300W (Tc) 表面贴装晶体管，封装为 TO-263-8。
优点
提高效率
实现更高频率
提高功率密度
减少冷却工作量
降低系统复杂性和成本
分立半导体晶体管 IMBG120R350M1H TO-263-8 表面贴装
产品描述
IMBG120R350M1H 具有同类最佳的 RDS(on) 和更宽的安全工作区域 (SOA)，是电池供电应用 (BPA) 和电池管理系统 (BMS) 的理想之选。
潜在应用
驱动器
基础设施 - 充电器
能源生产 - 太阳能组串逆变器和太阳能优化器
工业电源 - 工业 UPS