根据超结原理 (SJ) 设计,极低的开关和传导损耗
Infineon CoolMOS™ 功率晶体管采用面向高压功率 MOSFET 的革命性 CoolMOS™ 技术,该技术根据超结原理 (SJ) 设计,并由 Infineon率先应用。 CoolMOS™ C6和E6系列功率晶体管融合了一流SJ MOSFET供应商的行业经验,并兼具高度的创新性。它在提供快速开关SJ MOSFET的所有优势的同时,丝毫没有牺牲易用性。极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、小巧、轻便,散热效果也更佳。这些功率晶体管具备快速开关SJ MOSFET的所有优势,同时提供坚固的超高速体二极管。
特性:
FOM Rdson*Qg和EOS极低
非常高的换向耐用性
多种封装
Vds范围:500V~950V
FET类型:N-Channe
应用:
适用于PC Silverbox、LCD TV 、照明、服务器和电信等应用的谐振开关PWM阶段
Infineon CoolMOS™ 功率晶体管图片制造商零件编号描述可供货数量操作IPB60R099P70查看详情IPD60R280P7S0查看详情IPD65R950C62500查看详情IPD80R280P70查看详情IPL60R185CFD70查看详情IPL60R360P6S0查看详情IPS70R360P7S1500查看详情