10121506-320816ALF：高功率卡边缘 (HPCE®) 连接器，16POS
型号：10121506-320816ALF
封装：16POS
类型：卡边缘连接器
10121506-320816ALF——产品属性：
系列：HPCE®
卡类型：非指定 - 双边
针位/格/排数：20; 8
针位数：56（16 + 40 电源）
卡厚度：0.062"（1.57mm）
排数：2
读数：双
特性：板锁
安装类型：通孔
端接：焊接
触头材料：铜合金
触头表面处理：金或金，GXT™
颜色：黑色
工作温度：-55°C ~ 105°C
【星际金华】【明佳达】供应及回收 10121506-320816ALF卡边缘连接器，ACPM-7081-TR1射频功放IC，IPB029N15NM6功率 MOSFET 晶体管。
ACPM-7081-TR1：射频功放IC——多频段多模功率放大器
型号：ACPM-7081-TR1
封装：QFN
类型：多频段多模功率放大器
概述：ACPM-7081-TR1 是一款多频段多模功率放大器，支持 GMSK 和 8-PSK 调制方案以及UMTS 频段 1 和 8。它有两个放大器链，一个支持低频段（GSM850/900 和 UMTS 频段8），另一个支持高频段（DCS1800/PCS1900 和UMTS 频段 1）。
【星际金华】【明佳达】供应且回收 10121506-320816ALF卡边缘连接器，ACPM-7081-TR1射频功放IC，IPB029N15NM6功率 MOSFET 晶体管。
IPB029N15NM6：150V，OptiMOS™ 6 N通道功率 MOSFET 晶体管，PG-TO263-3
系列：OptiMOS™ 6
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：24A（Ta），165A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小Rds On）：8V，15V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：9900 pF @ 75 V
功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），395W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：PG-TO263-3-2
型号：10121506-320816ALF
封装：16POS
类型：卡边缘连接器
10121506-320816ALF——产品属性：
系列：HPCE®
卡类型：非指定 - 双边
针位/格/排数：20; 8
针位数：56（16 + 40 电源）
卡厚度：0.062"（1.57mm）
排数：2
读数：双
特性：板锁
安装类型：通孔
端接：焊接
触头材料：铜合金
触头表面处理：金或金，GXT™
颜色：黑色
工作温度：-55°C ~ 105°C
【星际金华】【明佳达】供应及回收 10121506-320816ALF卡边缘连接器，ACPM-7081-TR1射频功放IC，IPB029N15NM6功率 MOSFET 晶体管。
ACPM-7081-TR1：射频功放IC——多频段多模功率放大器
型号：ACPM-7081-TR1
封装：QFN
类型：多频段多模功率放大器
概述：ACPM-7081-TR1 是一款多频段多模功率放大器，支持 GMSK 和 8-PSK 调制方案以及UMTS 频段 1 和 8。它有两个放大器链，一个支持低频段（GSM850/900 和 UMTS 频段8），另一个支持高频段（DCS1800/PCS1900 和UMTS 频段 1）。
【星际金华】【明佳达】供应且回收 10121506-320816ALF卡边缘连接器，ACPM-7081-TR1射频功放IC，IPB029N15NM6功率 MOSFET 晶体管。
IPB029N15NM6：150V，OptiMOS™ 6 N通道功率 MOSFET 晶体管，PG-TO263-3
系列：OptiMOS™ 6
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：24A（Ta），165A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小Rds On）：8V，15V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：9900 pF @ 75 V
功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），395W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：PG-TO263-3-2
