AlN粉末和陶瓷以其高热导率、低介电常数以及与硅相近的热膨胀系数等优异的物化性能成为电子封装和高功率器件行业最具潜力的材料之一。
相较于其他的AlN粉末合成技术,原位合成技术具有产物氧含量低、成本低廉、工艺简单及可规模化生产等优势而备受关注。然而,为实现铝合金完全氮化,往往需要在合金中引入高含量的合金元素。
经氮化后合金元素以单质或氮化物形式存在于AlN中,导致产物纯度低,严重影响AlN陶瓷的热导率。为解决这一问题,本文选用铝镁合金粉末为原材料,利用Mg具有蒸汽压大和Mg_3N_2在高温下易分解的特点,采用真空升华法对Mg_3N_2进行去除,以期一炉原位合成出无合金元素及其氮化物残留的AlN粉末。
探讨氮化温度、氮化时间、粉末粒径等因素对氮化产物微观结构、粒径分布和比表面积的影响规律,为使原位合成AlN粉末的粒径分布向1~10μm逼近提供借鉴。
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对真空升华法去除反应副产物进行理论分析并加以实验验证,通过对升华产物进行表征与分析,